MCU的存储器介绍及内存分布

RAM：

首先RAM是我们常人理解的运行内存。存储在这里面的内容断电以后就没了，再次上点以后就要重新开始了。不同的关键字修饰它可能就会不太一样。
常用的static变量，全局变量，局部变量这些都是再RAM内，但是RAM可以分为三个区域。堆、栈、静态存储区；

1、堆 由程序员自动分配（malloc）以及释放，这里的释放很关键，一定要在使用完成后释放内存(free)！！！
2、栈 编译器自动分配的，局部变量，函数的一些形参都会存储在这个区域
3、静态存储区：这里存放的就是初始化的全局变量和static修饰的变量，这里注意只要是static修饰的变量都是存放在静态存储区的。

ROM/FLASH：

关于ROM和flash，flash是ROM的一种；
所有的常量，只读变量，还有代码都是存储在flash的。

SRAM(Static Random-Access Memory）：静态随机存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

DRAM（Dynamic Random Access Memory)：动态随机存储器，每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

SDRAM （synchronous dynamic random-access memory）：同步动态随机存取内存，是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

NAND闪存（NANDFLASH）是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据,经常用来存储运行的代码。

NorFlash：简单来说与sdram与Nand的中间品，它能像sdram一样直接读，但是又得像nand一样编程擦写。因此程序可以直接在nor里跑，速度要比sdram慢一些，往nor里写数据必须先擦除，因为nor的每一位只能由1变为0。NORFLASH支持字节操作，而SDRAM是以单个sector操作的。

FMC（Flexible Memory Controller): 译为可变存储控制器。它可以用于驱动包括SRAM、SDRAM、NOR FLASH以及NAND FLSAH类型的存储器。

FSMC控制器(Flexible Static Memory Controller):译为可变静态存储控制器，所以它们不能驱动SDRAM这样的动态存储器，因为驱动SDRAM时需要定时刷新.

程序内存的分配：

Program Size 包含以下几个部分：

1）Code：代码段，存放程序的代码部分；（存在flash中）

2）RO-data：只读数据段，存放程序中定义的常量，只读属性，比如const 修饰；（存在flash中）

3）RW-data：读写数据段，存放初始化为非 0 值的全局变量；（保存在flash中，运行时搬运到RAM中）

4）ZI-data：0 数据段，存放未初始化的全局变量及初始化为 0 的变量；（存在RAM中）

Program  RAM  Size ：RW-data + ZI-data

Program  Flash Size ：Code + RO-data + RW-data。

 其中动态内存堆为未使用的 RAM 空间，应用程序申请和释放的内存块都来自该空间。

列子：

#include <rtthread.h>

const static rt_uint32_t sensor_enable = 0x000000FE; /* 属于常量，放在flash的RO段*/

rt_uint32_t sensor_value;/*属于全局未初始化变量，放在RAM中的 ZI段*/

rt_bool_t sensor_inited = RT_FALSE;/*属于全局初始化变量，放在RAM中的 RW段*/

void sensor_init()/* 函数地址，局部变量 放在栈中*/
{
int status;       /* 局部变量放在栈中*/
     /* ... */
}