Micron MT41K256M16TW-107:P 存储IC

DDR3LSDRAM是DDR3内存的低电压版本,工作电压为1.35V,具有向后兼容1.5VDDR3的功能。其特点包括差分双向数据传输、8n位预取架构、动态管芯端接以及多种延迟编程选项。此外,它还支持自刷新和温度依赖的刷新率,适用于不同工作环境,并采用FBGA-96封装。
摘要由CSDN通过智能技术生成

DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,可以参阅DDR3(1.5V)SDRAM(Die Rev:E)的数据表规格。

功能特征

1、VDD=VDDQ=1.35伏(1.283–1.45伏)

2、向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

(1)支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容

3、差分双向数据选通

4、8n位预取架构

5、差分时钟输入(CK、CK#)

6、数据、选通和屏蔽信号的标称和动态管芯端接(ODT)

7、可编程CAS(READ)延迟(CL)

8、可编程发布的CAS附加延迟(AL)

9、可编程CAS(写入)延迟(CWL)

10、固定脉冲串长度(BL)为8,脉冲串斩波(BC)为4(通过模式寄存器组[MRS])

11、可随时选择BC4或BL8(OTF)

12、自刷新模式

13、温度为105°C

(1)64ms,8192次循环刷新,最高85°C

(2)32ms,8192次循环刷新,温度>85°C至95°C

(3)16ms,8192次循环刷新,温度>95°C至105°C

14、自刷新温度(SRT)

15、自动自刷新(ASR)

16、写入均衡

17、多用途寄存器

18、校准输出驱动器

19、封装:FBGA-96

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