SK hynix的HBM设计主管Myeong-Jae Park：“无与伦比的技术实力是我们HBM成功的关键”...

点击蓝字关注我们

关注、星标公众号，精彩内容每日送达
来源：网络素材

2024年3月，SK hynix开始大规模生产世界上性能最好的HBM3E1。加上该公司宣布计划将其下一代HBM4的大规模生产提前到2025年，SK hynix正在巩固其作为“全球第一人工智能内存提供商”的地位。

HBM3E：第五代和最新的高带宽内存（HBM）产品。HBM是一款高价值、高性能的产品，通过将多个DRAM芯片与through-silicon via（TSV）连接，彻底改变了数据处理速度。五代HBM从最初的HBM开始，然后是HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。

在过去的两到三年里，随着生成人工智能的兴起，HBM获得了广泛的认可。虽然这可能导致人们认为SK hynix的HBM成就几乎是一夜之间的成功，但该公司已经经历了漫长的旅程才能达到其领导地位。SK hynix在HBM行业中名列前茅是由其顶级工程师的技术专长推动的，他们致力于HBM技术的研发超过15年。

HBM设计主管副总裁Myeong-jae Park，讨论了SK hynix的HBM技术的历史和成功故事。

从HBM的起源到行业领导力：不懈的精致和毅力

SK hynix的HBM发展历史

2009年，SK hynix预见到对高性能内存的需求将不断增加，并将注意力转向TSV2技术。四年后的2013年12月，该公司发布了世界上第一个基于TSV的HBM。

Through-Silicon Via（TSV）：一种涉及在DRAM芯片上钻孔的技术，以连接垂直穿透芯片上层和下层孔的电极。

尽管取得了突破，但SK hynix花了多年才因其HBM获得认可。在2010年代，计算市场还不够成熟，无法从HBM的规格中受益，HBM被认为提供了“不必要的”高速和大容量。这导致了第二代HBM（HBM2）开发过程中的困难，并引发了对产品商业价值的担忧。Park将这个充满挑战的时期称为发现机会的时期。

Park指出HBM2E是该公司HBM业务的一个关键转折点

他回忆道：“在2010年代中后期，HBM设计部门被公开描述为偏僻的地方。”“该公司在开发HBM2的过程中遇到了困难，最重要的是，市场增长比预期的要慢。这种情况加剧了对整个行业的商业和悲观情绪。

“然而，我们坚信HBM是展示SK hynix独特技术能力的机会，一旦我们开发了最好的产品，利用它们的服务将自然而然地出现在市场上。这种信念成为开发后续产品（包括HBM2E）的驱动力。”

通过这个过程，Park了解到，成功的关键是达到远远超过客户和市场需求的一流性能水平。他回忆说，他以这种坚定的决心开始开发HBM2E。

他透露：“从HBM2E开始，我们设定的目标远远高于外部期望，并加强了合作。”“对于需要无缝集成复杂和具有挑战性技术的HBM来说，与相关团队合作以解决难题并增强协同作用尤为重要。这种方法带来了显著的技术进步。

“在此期间，我们为MR-MUF3、HKMG4和Low-K IMD5等基本技术以及构成我们当前能力基础的设计和测试技术奠定了基础。”

质量回流模压填充（MR-MUF）：一种在堆叠的芯片之间注入液体保护材料的过程，然后进行硬化。与在每层之间放置类似薄膜材料的传统方法相比，MR-MUF是一个更有效的过程，散热效果也更有效。与传统工艺相比，SK hynix先进的MR-MUF减少了芯片堆叠过程中施加的压力，并改善了芯片翘曲控制，支持了HBM的稳定大规模生产。

高K金属门（HKMG）：在DRAM晶体管内的绝缘层中使用具有高介电常数（K）的材料的下一代工艺。这可以防止过程小型化引起的泄漏电流，并提高电容，数据存储所需的电量，实现更快的处理，同时降低功耗。

Low-K金属间电介质（Low-K IMD）：一种在半导体芯片内部布线之间插入低介电常数（K）的材料的技术，以减少电气干扰并提高性能。

用专有技术开创HBM复兴

在2020年代初，预计内存公司之间将进行激烈的竞争，以争夺HBM3市场的主导地位。然而，SK hynix很快通过不懈的技术开发和投资巩固了其行业领导地位。

Park声称性能、质量和市场响应速度使SK hynix为HBM提供了优势

他说：“当时，SK hynix不仅在技术方面进行创新。”“我们还不断创新，以提高客户关系和质量。最终，由于其压倒性的卓越性能和功能，我们通过HBM3获得了巨大的市场份额，并牢固地确立了我们作为HBM市场领导者的地位。”

从那时起，SK hynix的HBM成功故事毫无阻碍地向前推进。在开发全球容量最高的12层HBM3仅四个月后，该公司于2023年8月推出了下一代HBM3E，大大缩短了上市时间。

他说：“随着人工智能公司之间的竞争加剧，我们别无选择，只能加快HBM的发展。”“为此，SK hynix做出了努力，例如提高产品设计的完整性，并从开发和批量生产的早期阶段就与客户合作。因此，我们能够在2024年3月开始大规模生产HBM3E，成为世界上第一家这样做的公司。”

朴强调，这种成功的秘诀可以通过性能、质量和市场响应能力来定义。

他说：“SK hynix的HBM拥有业内最高的速度和性能。”“特别是，我们专有的MR-MUF技术应用于我们的HBM产品，通过稳定地减少高性能工艺产生的热量。此外，我们能够迅速以高标准持续大规模生产这些产品。我们还提供了无与伦比的客户响应水平。我相信这种全面的竞争优势将我们的HBM3E提升为首屈一指的产品。”

Park还强调了SK hynix的所有成员在HBM的成功中发挥的关键作用，因为他们致力于作为一个团队实现持续的技术创新，而不会自满。

跨公司合作是开发HBM3E的关键

他说：“自HBM2E以来，SK hynix一直努力保持其在HBM领域的头号位置。”“特别是，我们的目标是将每新一代的性能提高50%，同时保持相同的功耗水平。这似乎几乎是不可能的，但在我们许多部门和组织的支持下，包括封装和研发，我们能够实现这一点。

“此外，当开发和大规模生产阶段出现挑战时，在相关领域拥有专业知识的组织提供了解决方案。我相信，这样一个协作系统使生产出世界上表现最好的HBM3E成为可能。”

Park（左二）与SK集团2024 SUPEX奖的其他获奖者，由SK hynix首席执行官Kwak Noh-Jung颁发

（最左）和SUPEX理事会副主席Chey Chang-won（最右）（图片来源：SK集团）

与SK hynix的关键技术人员一起，Park于6月5日被授予2024 SUPEX Award6，这是SK集团的最高荣誉，以表彰他对HBM发展的贡献。

SUPEX奖：作为SK集团内最负盛名的奖项，具有“超级优秀”的含义，它表彰那些不害怕接受新挑战而成功实现创新的成员。

他说：“我非常谦卑和感激能代表许多为HBM产品开发做出贡献的成员获得SUPEX奖。”“HBM不仅展示了SK hynix的技术能力，还引领了人工智能技术的进步，为整个社会做出了重大贡献。展望未来，我们将尽最大努力确保公司能够继续发挥这一作用。”

下一代HBM：通过创新和定制保持行业领导力

在评论最近关于HBM发展的猜测时，Park驳斥了这些说法，认为这是“毫无根据的”，并重申他决心在未来保持SK hynix的竞争优势。他说：“SK hynix的HBM是我们员工15年辛勤工作的成果。最近，有传言称，竞争对手的HBM团队被挖到SK hynix开发技术。这影响了我们成员的自豪感，因为它无视我们自己努力取得的成就。SK hynix的HBM是使用自己的技术开发的，当时没有一个人从竞争对手那里加入公司的HBM设计组织。我们现在认为这证明了我们杰出的技术能力，这些技术能力得到了如此认可，以至于他们引发了这些虚假的谣言。我们不会受到影响，并将继续努力保持我们的领导地位。

他补充说：“持续创新对于保持和提高我们目前的地位至关重要。”“特别是我们的HBM阵容随着解决方案的定制而多样化，与客户和工艺制造行业的合作在未来将变得越来越重要。在这些变化中，我们的目标是稳步前进，跟上趋势，以保持市场领先地位。”

Park声称SK hynix的各种人工智能内存技术将创造新的机会

在采访结束时，Park表达了他对HBM以外的下一代人工智能技术的信心，并分享了他未来的愿望。

他说：“不仅是HBM，还有各种AI内存技术，如CXL7、PIM8和3D DRAM，将创造新的机会，该公司准备在这些下一代AI内存领域保持领先地位。”

“回想起来，HBM是我们将公司业务扩展到高附加值领域的起点。我既感到自豪，又有责任感。HBM设计团队将继续创新，相信我们多年来与成员一起构建的技术和协作系统，而不会停留在我们的桂冠上。我们将努力将SK hynix发展成为领导整个人工智能行业的关键公司。”

Compute Express Link（CXL）：一种将内存和其他设备之间的接口集成到一个中，以更轻松地扩展带宽（数据传输路径）和实现高性能计算系统的能力的技术。

内存处理（PIM）：下一代智能半导体存储器，结合了处理器的计算功能。

想要了解FPGA吗？这里有实例分享，ZYNQ设计，关注我们的公众号，探索