NVH4L020N120SC车规碳化硅MOS管 N沟道详细资料讲解

NVH4L020N120SC车规碳化硅MOS管 N沟道 ，碳化硅（SiC）MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极充电。因此，系统的优点包括最高效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。

特性：

1.Vgs=20V，Id=60A时最大RDS（开启）=28mΩ

2.典型RDS（开启）=20mΩ

3.根据AEC−Q101获得汽车认证

4.汽车级

5.高速开关和低电容

6.设备不含铅，符合RoHS标准

应用领域：

DC-DC逆变器

汽车牵引逆变器

汽车车载充电器

汽车辅助电机驱动