碳化硅MOS~MODULE-CSDN博客

ASC800N1200DCS12模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV)，针对牵引应用开发的功率模块.特点1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。

2023-02-13 15:59:53 734

转载 1700V SiC MOSFET针对高压电源应用，较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（16mΩ/毫欧）

1700V SiC MOSFET针对高压电源应用，较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（16mΩ/毫欧）

2022-12-14 17:22:18 631 1

转载电力电子与新能源越来越欢迎SiC MOSFET（国产碳化硅MOS管）技术

电力电子技术与新能源越来越欢迎SiC MOSFET（国产碳化硅MOS管）技术。这是因为碳化硅系统能为电力电子技术与新能源带来众多好处。首先是成本，以新能源车充电机（OBC）为例,能够为DC/DC模块可以省去大量的栅极驱动和磁性元件，相比硅MOS系统，通常碳化硅能够将OBC系统成本降低20%左右。其中，采用SiC技术后，双向OBC的散热成本可降低三分之一。其次是体积和效率。https://pan.baidu.com/s/1yHquvTP-nBg9Ynpt9c2vQg?pwd=8vj9 提取码8vj9

2022-11-08 16:36:36 592

转载电动汽车车载充电机 (OBC) 与车载 DC/DC 转换器技术

一、高性能电动汽车车载充电机(OBC) 电路二、双向充电机(Bi-OBC ）技术方案三、车载DC/DC 转换器电路拓扑比较四、充电桩电力电子变换器

2022-10-11 15:54:17 2639

原创有源钳位三电平逆变电路及方法

有源钳位三电平逆变电路及方法

2024-05-27 17:14:13 319

原创 3.3 kV碳化硅MOS业界领先的（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

3.3 kV碳化硅MOS业界领先的（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

2024-05-16 11:34:27 219

原创碳化硅 MOSFET（全碳化硅功率模块）短路特性及保护方法

SiC MOSFET（功率模块全碳化硅）短路特性及保护方法

2024-05-06 10:30:25 143

原创压缩机控制器的首选方案SiC MOSFET/碳化硅模块，尤其是800V电压平台

电动空调压缩机控制器的首选方案SiC MOSFET/碳化硅模块，尤其是800V电压平台

2024-04-22 17:40:52 309

转载一种消除 VIENNA 整流器输入电流过零畸变的 SVPWM 调制方法

一种消除 VIENNA 整流器输入电流过零畸变的 SVPWM 调制方法

2024-04-13 10:56:23 36

原创光耦mos封宽带隙、高频、快速开关的碳化硅MOS芯片更低功耗与高速（6寸国产碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管、模块）

光耦mos封宽带隙、高频、快速开关的碳化硅MOS芯片更低功耗与高速（6寸国产碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管、模块）

2024-02-28 15:22:34 351

原创碳化硅MOS晶粒尺寸＜2*2mm耐压1200V/1700V 可内封到基于 MOSFET的固态继电器？

在我之前的一篇文章中，我解释了如何使用基于MOSFET的双向开关来操作任何所需的电气负载，就像标准机械开关一样，但具有非凡的优势。它们使用可忽略不计的电流工作，因此不会耗尽电池供电系统中的电池电量。碳化硅MOS晶粒尺寸＜2*2mm耐压1200V/1700V 可内封到基于 MOSFET的固态继电器？相同的 MOSFET 双向开关概念可用于制造理想的 SSR 器件。由于没有机械触点，它们在没有任何形式的咔嗒声的情况下工作。固态也意味着 SSR 的开关速度比传统的机电类型快得多。

2023-12-27 15:34:08 412 1

原创碳化硅模块与SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里（SiC Module）

SiC开关器件能为电机驱动系统带来的益处总结如下：1：更低损耗‒降低耗电量，让人们的生活更加环保、可持续。2：性能卓越‒实现更高功率密度，通过以更小的器件达到相同性能，来实现更经济的电机设计。3：结构紧凑‒实现更紧凑、更省空间的电机设计，减少材料消耗，降低散热需求。4：更高质量‒SiC逆变器拥有更长使用寿命，且不易出故障，使得制造商能够提供更长的保修期。

2023-12-26 14:10:35 454 1

原创 SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办法

SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办法

2023-09-12 17:45:25 408

原创传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC技术

碳化硅MOS半导体成为传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC技术的主开关管

2023-08-16 17:41:28 342 1

原创碳化硅模块ASC300N1200MEP2B（2B/EasyPACK）助力快充桩和新能源电源领域。

2B/EasyPACK模块采用 1200V 新一代 MOSFET 技术，在简单易用的封装内实现效率最佳化，从而开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统，并显著提升其效率和性能。此外，它还具有不同拓扑结构的灵活模块，便于轻松地进行系统设计，支持高度灵活自由的逆变器设计。AST的EasyPACK模块简化了布局，帮助加快电动汽车快速充电和太阳能基础设施的生产。EasyPACK模块实现功率密度最大化，并在标准尺寸内简化设计，显著加快新一代技术的生产和推出，赋能包括非车载充电和太阳能解决方案在内的众多快速增长的工业市场。

2023-07-15 10:22:41 188 1

原创 1700V碳化硅MOS内阻7Ω封装TO-220F具有12V栅极驱动的ASC1N1700MF3PB

ASC1N1700MF3P1:具有12V栅极驱动的AST技术2:较低的QG和器件电容（Coss、Crss）3:低VF和低QRR的体二极管4:更快、更高效的切换

2023-07-11 15:01:06 107 1

原创碳化硅模块（SiC MODULE）应用中出现的串扰问题，三种有效应用对策

碳化硅模块（SiC Module）应用中出现的串扰问题，三种有效应用对策

2023-06-02 11:25:47 396

转载 3300V碳化硅MOS国产化助力特种电源

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(内阻48毫欧/mΩ)。

2023-03-10 09:31:38 370

转载碳化硅MOS 助力隔离型双向DCDC变换器-双向变流器PCS

碳化硅MOS 助力隔离型双向DCDC变换器-双向变流器PCS，直流微电网，交流微电网，光伏并网逆变器，储能逆变器，风电变流器（双馈，直驱），车载电源，数字电源，锂电池，超级电容，燃料电池，能量管理系统以及APF，SVG ，UPQC等。

2022-12-08 16:51:09 415

碳化硅MOS体二极管能过多大电流

碳化硅MOS体二极管问题，这个二极管能过多大电流？一看就懂。如果不了解，会认为这个二极管能流过的电流非常小，因为它还有一个名称叫“寄生二极管”，很容易被它骗。寄生二字，会很容易让人联想到寄生电感，寄生电容，而这两个东西一般都是很小的，所以很容易误认为这个寄生二极管也很弱，过不了比较大的电流。问题解答：应该都知道上面这是个buck电路吧，下管是NMOS管，在上管断开，下管导通的时候，电感的电流来源于下管。也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。除此之外，BUCK在开关切换的时候，会存在死区时间（上管和下管都不导通的时候）。而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。

2023-11-17

碳化硅(全SiC MOS）模块特性

全碳化硅（SiC）功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。 SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。

2023-09-25

碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。 Vg‐Id 特性

2023-09-22

SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。以下是一些 SiC 栅极驱动器的一些示例要求：1：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压 2:共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 100 kV/µs 3：最大工作绝缘电压可达 1700 V 4：驱动能力可达 10 A 5：传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns 6：主动米勒钳位 7：快速短路保护（SCP）（小于 1.8 µs）对于 SiC MOSFET 的一般驱动考虑鉴于这些要求，需要考虑几个栅极驱动器技术。磁耦合驱动器是一个相对成熟的技术，但是在磁场应用中也会成为一个令人关切的问题。电容耦合驱动器具备来自高电压应力和改进后对外部磁场抗扰度的出色保护，同时以最低的延迟提供非常迅捷的开关。但是，这项技术仍然容易受高电场应用问题的影响。作为更为传统的绝缘方式、光耦合非常有效并可提供出色的瞬变和噪音保护...

2023-09-22

碳化硅MOS管电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V

SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V。资料https://pan.baidu.com/s/1lN2Iz1LA7bjiPUaGrL2o8Q 提取kx32 。碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。

2023-05-09

1700VSiCMOS碳化硅功率器件（内阻750毫欧、20毫欧）

1700V SiC MOSFET国产首款针碳化硅功率器件对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on）。广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。

2023-04-28

SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）针对新能源汽车牵引应用

SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）DCS12模块特点:1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。特性:高温、高湿、偏置操作;超低损耗<5nH;高频操作;MOSFET的零关断尾电流;正常关闭，故障安全设备操作;易于并行;铜底板和氮化硅绝缘体。ASC800N1200DCS12模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV)，针对牵引应用开发的功率模块.

2023-02-15

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