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ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，电压2000V内阻98mΩ，Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A
高开关速度：SiC 材料的高电子迁移率，提升系统响应速度和动态性能
高功率密度：搭载第三代自研SiC 芯片，实现小尺寸下的大电流承受能力
低寄生电感设计：紧凑内部布局，降低功率回路中的寄生电感
高抗干扰能力：具有开尔文源极引脚，能够进一步降低器件的开关损耗，提高模块的抗干扰能力
高温稳定性：宽温度范围下（-55°C至175°C）的稳定运行，适应各种环境条件
2024-11-22
Voltage-Fed DAB dcdc converter：https://pan.baidu.com/s/1KkHRhJYKInFRi119ToagCQ提取码d7e3
Voltage-Fed DAB dcdc converter：https://pan.baidu.com/s/1KkHRhJYKInFRi119ToagCQ提取码d7e3
是一种直流到直流（DC-DC）转换器，主要用于电力电子系统中，特别是在需要高效能量转换的场合。DAB（Dual Active Bridge）技术是一种常用的隔离型DC-DC转换器技术，通过两个独立的H桥电路实现能量的双向传输，具有高效率、高功率密度和良好的电磁兼容性等特点。工作原理
Voltage-Fed DAB dcdc converter的工作原理基于两个独立的H桥电路，每个H桥由四个开关（通常是IGBT或MOSFET）组成。通过控制这些开关的开关状态，可以实现能量的双向传输。具体来说，当上桥的开关导通时，能量从输入端流向输出端；当下桥的开关导通时，能量从输出端流回输入端。通过调节开关的占空比，可以控制输出电压和电流。
应用场景
Voltage-Fed DAB dcdc converter广泛应用于各种需要高效能量转换的场合，如电动汽车的电池管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。由于其高效率和
2024-11-21
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性与驱动电路设计
碳化硅SiC MOSFET :Vd‐Id 特性
SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。
驱动门极电压和导通电阻
SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。
Vg‐Id 特性
2023-09-22
碳化硅(全SiC MOS）模块特性
全碳化硅（SiC）功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。
SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
2023-09-25
碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A（国产晶圆/SiC模块）
碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A（国产晶圆/SiC模块） 。碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。
2023-05-09
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
本文将重点讨论另一个关键参数：阈值电压(Vth)，它对开关的导通和关断性能影响很大，从而影响功率开关的能量损耗。两个并联芯片之间的阈压Vth差会导致能耗失衡，最终影响整个功率模块的性能。论文[4]详细地描述了 Vth 对开关能耗的影响，证明当Vth 升高 500mV时，导通状态耗散功率升幅可能高达 40%。
根据这个论据，我们认为有必要建立一个能够在正常工作条件下直接测量开关温度的测温系统，以评估和表征功率模块内不同裸片的散热性能。不仅在生产线上设法最大限度缩窄工艺的参数分布范围，包括阈压Vth的分布范围，还需要根据模块内距离最近的两个芯片之间的微小差异，在模块组装层面采取进一步的改善行动。我们利用这一概念组装了两个不同的功率模块：第一个模块叫做 GAP1，内部裸片阈压Vth的最大分布范围是250mV（围绕平均值+/- 125mV），第二个模块叫做GAP2，Vth的最大变化范围是 500mV（围绕平均值+/-250mV）。采用两个不同的开关频率进行测试：电驱逆变器的典型工作频率8kHz和12kHz。众所周知，耗散功率的增加与开关频率成正比。
2024-07-11
1700V碳化硅MOS：1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7
1700V SiC MOSFET国产首款针碳化硅功率器件对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on）。广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。
2023-04-28
碳化硅MOS体二极管能过多大电流
碳化硅MOS体二极管问题，这个二极管能过多大电流？一看就懂。如果不了解，会认为这个二极管能流过的电流非常小，因为它还有一个名称叫“寄生二极管”，很容易被它骗。
寄生二字，会很容易让人联想到寄生电感，寄生电容，而这两个东西一般都是很小的，所以很容易误认为这个寄生二极管也很弱，过不了比较大的电流。
问题解答：应该都知道上面这是个buck电路吧，下管是NMOS管，在上管断开，下管导通的时候，电感的电流来源于下管。
也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。除此之外，BUCK在开关切换的时候，会存在死区时间（上管和下管都不导通的时候）。而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。
2023-11-17
碳化硅MOS-碳化硅模块（全SiC）产品应用、驱动、系统方案详解
碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案(碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-160A)
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。
SiC MOSFET在高压转换器领域，爬电距离和电气间隙等最小间距要求使得高性能 SiC MOSFET采用TO−247、TO263-7L、TOLL、DFN、SOT227型等封装,这些封装已经十分完善。SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、快速充电桩、智能电网，轨道交通领域，牵引变频器等领域。
2024-07-10
碳化硅模块SiC MOSFET短路特性及保护方法
碳化硅模块SiC MOSFET短路特性及保护方法
一：SiCMOSFET短路特性及失效机理
二：SiCMOSFET短路保护原理及方法
三：SiCMOSFET短路保护实例
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。
1.宽带隙：碳化硅具有较宽的能带隙，高温下能够有效阻止载流子的激发和导电，使其具有较低的导通电阻。因此，碳化硅MOS可以在高温环境下正常工作，有很好的高温性能。
2.高击穿电场强度：碳化硅具有较高的击穿电场强度，也就是说，相对于硅材料，碳化硅可以承受更高的电压，使得碳化硅MOS可以在高电场环境下工作，有较高的耐压能力。
3.高电流密度：碳化硅具有高电流密度，它的电流密度是硅的数倍，因此碳化硅MOS可以传导更高的电流，有效提高了器件的功率密度。
4.快速开关速度：由于碳化硅MOS具有高载流子迁移率和快速定态电流特性，所以具有较快的开关速度和响应时间，适用于高频率电源转换器等快速控制电路。
2024-07-10
碳化硅模块（SiCMOS模组）应用过程中出现的串扰问题3种有效应用对策
碳化硅模块（SiCMOS模组）应用过程中出现的串扰问题3种有效应用对策
https://pan.baidu.com/s/1N250LqWFxgk0T0yRECnJWg提取码425y
针对 SiC MOSFET 模块应用中出现的串扰问题， 本文对测量使用的差分探头进行了详细对比，由结果 可知采用高带宽和高采样率的示波器和差分探头可测 量得到准确的信号波形。同时分析了串扰问题的产生 机制，正dVds dt在反向传输电容上产生流向驱动侧的 位移电流，在栅极阻抗引起正向感应电压，叠加在栅 源极上会引起栅源极电压抬升；而负dVds dt在反向传 输电容上产生流向模块侧的位移电流，在栅极阻抗引 起负向感应电压，造成栅源极出现过大的电压负向峰 值。为解决串扰问题，本文提出了3种有效应用对策： ①减小栅极引线阻抗，从而减小阻抗上的感应压降， 抑制栅源极过压；②采用有源米勒箝位技术，泄放位 移电流，有效保护 SiC MOSFET 模块；③通过三级关 断串扰抑制技术改善栅极驱动波形，有效抑制过大的电压正向抬升和负向电压
2024-07-10
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。以下是一些 SiC 栅极驱动器的一些示例要求：1：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压
2:共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 100 kV/µs
3：最大工作绝缘电压可达 1700 V
4：驱动能力可达 10 A
5：传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns
6：主动米勒钳位
7：快速短路保护（SCP）（小于 1.8 µs）对于 SiC MOSFET 的一般驱动考虑
鉴于这些要求，需要考虑几个栅极驱动器技术。磁耦合驱动器是一个相对成熟的技术，但是在磁场应用中也会成为一个令人关切的问题。电容耦合驱动器具备来自高电压应力和改进后对外部磁场抗扰度的出色保护，同时以最低的延迟提供非常迅捷的开关。但是，这项技术仍然容易受高电场应用问题的影响。作为更为传统的绝缘方式、光耦合非常有效并可提供出色的瞬变和噪音保护...
2023-09-22
碳化硅MOS管、PFC、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等功率器件主开关管选择
碳化硅MOS管、PFC、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等功率器件主开关管选择。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。
2022-10-24
太阳能光伏并网发电及其逆变控制
太阳能光伏并网发电及其逆变控制_(新能源与微电网技术)，太阳能是太阳内部连续不断的核聚变反应过程产生的能量。 地球轨道上的平均
太阳辐射强度为 1367kW/ m
2
。 地球赤道的周长为 40000km， 从而可计算出， 地球
获得的能量可达 173000TW。 太阳能在海平面上的标准峰值强度为 1kW/ m
2
， 地球
表面某一点 24h 的年平均辐射强度为 0. 20kW/ m
2
， 相当于有 102000TW 的能量， 人
类依赖这些能量维持生存。 太阳是一个巨大、 久远、 无尽的能源。 尽管太阳辐射到
地球大气层的能量仅为其总辐射能量 （约为 3. 75×10
26W） 的 22 亿分之一， 但已
高达 173000TW， 也就是说太阳每秒钟照射到地球上的能量就相当于 500 万 t 煤燃
烧释放的能量。 地球上的风能、 水能、 海洋温差能、 波浪能和生物质能以及部分潮
汐能都是来源于太阳； 即使是地球上的化石燃料 （如煤、 石油、 天然气等） 从根
本上说也是远古以来储存下来的太阳能， 所以广义的太阳能所包括的范围非常大，
狭义的太阳能则限于太阳辐射能的光热、 光电和光
2022-10-20
电动汽车车载充电机 (OBC) 与车载 DC/DC 转换器技术
电动汽车车载充电机 (OBC) 与车载 DC/DC 转换器技术
一、高性能电动汽车车载充电机(OBC) 电路
二、双向充电机(Bi-OBC ）技术方案
三、车载DC/DC 转换器电路拓扑比较
四、充电桩电力电子变换器
2022-10-11
SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）针对新能源汽车牵引应用
SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）DCS12模块特点:1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；
2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；
3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。
特性:高温、高湿、偏置操作;超低损耗<5nH;高频操作;MOSFET的零关断尾电流;正常关闭，故障安全设备操作;易于并行;铜底板和氮化硅绝缘体。ASC800N1200DCS12模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV)，针对牵引应用开发的功率模块.
2023-02-15
PFC技术 碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
碳化硅MOS管（SiCMOS )、PFC功率器件 主开关管的选择.。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为，但是其反向恢复电流相对IGBT或超结MOSFET要小很多。
2023-01-06
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