电力电子与新能源越来越欢迎SiC MOSFET（国产碳化硅MOS管）技术

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分类专栏： 碳化硅MOS 碳化硅MOS模块 压缩机 # 电动压缩机 文章标签： 硬件工程 能源 汽车 百度小程序 自动驾驶 模块测试 计算机网络
于 2022-11-08 16:36:36 首次发布
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碳化硅MOS~MODULE
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专栏目录
碳化硅MOS管（国产SiC )、无桥PFC功率器件主开关管选择
10-24
碳化硅MOS（国产SiC )管、无桥PFC功率器件 主开关管选择。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性
09-22
SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V...
国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
QLH_SiCMOS的博客
11-13 344
国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
碳化硅功率器件国产MOSFET（6寸碳化硅MOS晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅模块-技术应用详解)
最新发布
QLH_SiCMOS的博客
03-25 373
国产碳化硅MOS实现电压650V-1200V-1700V-3300V，单管电流1A-200A；全碳化硅功率模块（SiC MODULE）多种拓扑结构:半桥/三相全桥/三电平等，多种封装62mm-HPD-EasyPACK/2B-Econodual等。
碳化硅MOS管
TSINGHUAJOKING
02-01 4238
同样位于元素周期表第四栏的元素，硅(Si)，锗(Ge)都是被最早用于半导体材料的元素，而碳元素©却不是。 碳元素在石墨结构下是导体，而在金刚石结构下，由于共价键跃迁能带比较大，是绝缘体。同样是金刚石结构的硅元素由于共价键比较弱，共用电子对定域性较差，在一定电压下电子就会解离，体现半导体性质。 如果将硅(Si碳©组成碳化硅(SiC)化合物，则形成宽禁带半导体（3V）。普通的硅（Si）半导体的禁带只有...
碳化硅MOS管与MOS管有何差异？碳化硅有什么优势？
KeepTops的博客
09-27 533
碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
NVH4L020N120SC车规碳化硅MOS管 N沟道详细资料讲解
02-07 289
NVH4L020N120SC车规碳化硅MOS管 N沟道 ，碳化硅（SiC）MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极充电。因此，系统的优点包括最高效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。1.Vgs=20V，Id=60A时最大RDS（开启）=28mΩ。3.根据AEC−Q101获得汽车认证。2.典型RDS（开启）=20mΩ。6.设备不含铅，符合RoHS标准。5.高速开关和低电容。
PFC技术 碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
01-06
碳化硅MOS管（SiCMOS )、PFC功率器件 主开关管的选择.。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。...
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例
09-22
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在...
碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术
08-30
碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术 碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术是指使用碳化硅（SiC）材料制成的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）在OBC（On-Board Charger）应用中的技术。下面将对该...
碳化硅SiC模块（丹弗斯DCM/1200V800A）ASC800N1200DCS12针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块
QLH_SiCMOS的博客
02-13 760
ASC800N1200DCS12模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV)，针对牵引应用开发的功率模块.特点1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A（碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块）
QLH_SiCMOS的博客
02-17 595
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A（碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块）
碳化硅MOSFET、硅MOSFET及IGBT的优缺对比
aaalala的博客
04-12 4061
碳化硅MOSFET、硅MOSFET及IGBT的优缺对比
关于碳化硅，不可不知的10件事！
瑞森半导体
10-15 1980
碳化硅的主要性能
国产碳化硅功率器件（6寸碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅功率模块）的产品介绍与应用方案
Sic_MOS_78016824的博客
01-05 705
公司专注碳化硅芯片的设计，功率器件研发和生产，产品从6寸碳化硅裸芯片-碳化硅MOSFET单管-全碳化硅功率模块-电机控制器-一体化动力总成。采用6寸碳化硅晶圆片，产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A。产品耐压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A，最低内阻12毫欧。碳化硅MOS管耐压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A等系列，碳化硅模块多种封装，电压650V-1700V电流30A-800A.2.碳化硅MOS单管。
碳化硅MOS晶圆6英寸成熟，在进击8英寸工艺（国产碳化硅MOS芯片、SiC模块）
QLH_SiCMOS的博客
01-02 591
碳化硅MOS晶圆适用的电压范围为650伏特至3.3千伏特，主要用于1200伏特以上的高频器件，并且具有较高的功率密度特性。
浅谈中国十大国产MOS管品牌哪个好？
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xingsongyu的博客
02-25 1万+
原文：https://www.sohu.com/a/407971816_100162468 最近经常有客户问我们，国产MOS管什么品牌好？国产十大MOS管品牌有哪些？哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。当然还有其他就不一一列举，其实比较起来很
基于并联sic mosfet架构的无刷直流电机高效驱动技术研究
11-10
无刷直流电机是一种电能转换设备，广泛应用于工业和消费电子领域。基于并联SiC MOSFET架构的高效驱动技术研究使得无刷直流电机具有更好的性能和能效。 首先，采用SiC（碳化硅）MOSFET作为无刷直流电机的驱动器件，具有较低的功耗和导通损耗。相比传统的硅材料，SiC材料的电子迁移率更高，导致了更低的导通电阻和开关损耗。因此，基于并联SiC MOSFET架构的无刷直流电机驱动技术大大提高了能效。 其次，该技术研究中还采用了并联的架构，即多个SiC MOSFET并联工作。通过并联多个器件，电流可以分担到各个器件上，减小了单个器件的工作负荷，提高了系统的可靠性和稳定性。同时，并联架构还可以降低峰值电流，减少电能转换过程中的能量损耗，提高了整个系统的能效。 此外，该研究还关注了无刷直流电机的控制算法优化。通过改进控制算法，可以更精确地控制电机的转速和输出功率。控制算法还可以通过实时监测和调整电机相电流和电压，以最大程度地提高电机的效率和稳定性。 综上所述，基于并联SiC MOSFET架构的无刷直流电机高效驱动技术研究通过降低器件的功耗和开关损耗、采用并联架构和优化控制算法，实现了无刷直流电机的高效驱动。这种研究为无刷直流电机的应用提供了更高的能效和稳定性，促进了电能转换技术的发展。

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