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(一)为什么要扩展外部SRAM
内存是芯片工作的重要基础,众所周知,内存更大的芯片,其运行能力和性能往往也会更高。
但是当程序较大,导致芯片内部的内存空间不足以保存该程序时,便可以选择通过外扩存储器,解决内存不足的问题。在实际应用中,可以选择SRAM或者SDRAM作为外部的扩展内存,但由于本次使用的芯片不支持SDRAM的扩展功能,所以选择SRAM作为扩展的对象。
(二)什么是SRAM
简介
SRAM的英文全称为Static Random Assess Memory,译为静态随记存储器。与内存的特性一样,SRAM也属于易失性存储器,当掉电之后,存储器中的内容便会丢失。
存储器型号
本次使用的SRAM的型号为:IS62WV51216
其中,IS表示该芯片的生产公司为ISSI,即芯成半导体有限公司;512表示该芯片的容量为512K word;16则表示数据传输时的数据最小长度为16-Bits。另外,该芯片支持两种不同的高速访问时间,分别为45ns和55ns,该时间表示进行一次数据读写的最短时间要求,本文选择55ns的模式。
容量
512*16Bits = 1MB
原理框图
该SRAM芯片的内部原理图如下:
引脚配置
引脚数量为48Pin,TSOP引脚封装方式的引脚图及其说明如下:
引脚 | 说明 |
---|---|
A0-A18 | 地址输入引脚 |
I/O0-I/O15 | 数据输入、输出引脚 |
CS1#,CS2 | 片选引脚 |
OE# | 输出使能引脚 |
WE# | 写使能引脚 |
LB# | 低8-Bits字节数据控制引脚 |
UB# | 高8-Bits字节数据控制引脚 |
NC | 未连接 |
VDD | 电源引脚 |
GND | 地接引脚 |
通讯方式
异步通讯,无须时钟,无须刷新
读写特性
直接通过地址,便可以访问存储器中的数据。
读取数据时序图
本次使用的SRAM芯片可以选择两种不同的时序进行数据的读取,本文使用下面的一种:
读取数据的时序要求
读取数据时的时序要求如下图所示:
写入数据时序图
本次使用的SRAM芯片可以选择四种不同的时序进行数据的读取,本文选择下面的一种方式: