随机存取存储器
静态RAM(SRAM)
T1~T4构成触发器,是一个双稳态的触发器。(触发器用来存储0和1)一端是0,另一端就是1,两端是相反电平 。
T5、T6用于控制对存储元件进行读或写。
静态RAM基本电路读操作
要进行行选、列选,才会读选择有效,读选择使Dout打开,非端同样能传输数据,但是到了写放大器就被截止了。
静态RAM基本电路写操作
动态RAM(DRAM)
用电容存储信息,有电荷就是1,没电荷就是0.
信息保存在电容Cg上。读选择线有效,则T2导通,若写选择线有效,则T3导通。预充电信号有效,则T4打开。
三管动态RAM芯片 读操作
选中的为所选列和行的交叉点。选中后通过读数据线连接到读写控制电路进行读。
最后的刷新放大器,及时刷新保持信号。
三管动态RAM芯片 写操作
数据从D写入读写控制电路,然后经过写选择线,找到所确定的单元进行写入操作。
动态RAM刷新
动态RAM用电容存储电荷来存储器信息,如果不充电,电容中的电就会漏掉,所以要随时刷新进行充电。
动态RAM刷新只与行地址有关。每一次刷新,刷新的是一行所有的基本单元电路。
集中刷新(0.5微秒),在一个刷新周期内,对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新。
前面的周期先进行读写或其他操作,后面留出一个周期专门进行刷新。
分散刷新(1微秒),刷新过于频繁,芯片性能下降。
异步刷新,减少死区,提高利用率,提高了性能。
动态RAM和静态RAM的比较