中低压MOSFET 2SK3019 60V 100mA 双N通道 SOT-723封装

最新推荐文章于 2025-04-29 10:40:11 发布
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    2SK3019小电流双N通道MOSFET，电压60V电流100mA，采用SOT-723封装形式。适用于低RDS (on)的高密度电池设计，压控小信号开关，坚固可靠，ESD保护。可应用便携式设备的负载开关，电池开关上。

【场效应管】之【场效应管型号技术参数】
软件开发、电子设计
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场效应管型号技术参数 SI230x系列说明： 贴片高频MOS管 SI2300 SOT-23 2.3A/20V，RDS(on)=70mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=10V，ID=3.0A） 用途。 SI2301 SOT-23 -2.2A/-20V,RDS(on) SI2302 SOT-23 2.3A/20V,，RDS(on) SI2305 SOT-23 -2.2A
稳压、调压、监控、DC/DC电路大全
shangyaowei的专栏
12-19 2635
稳压、调压、监控、DC/DC电路大全 0 推荐 M5172L　零点起弧温度控制电路 有零点同步脉冲发生电路、差动放大电路、脉冲发生电路构成的温度控制电路；工作交流电源电压范围90～110mVrms（50～60Hz），在7端与交流电源之间10kΩ（2W以上）的电阻；可完成线路电压变动和线路频率变动补偿；电源、地端之间最大电压差10V；电源电流最大10mA；功耗360mW；工作温
中低压MOSFET 2SK3019 60V 100mA 双N通道 采用SOT-523封装
Qingniu01的博客
11-23 253
2SK3019小电流双N通道MOSFET，电压60V电流300mA，采用SOT-523封装形式。低导通电阻，可快速切换速度，易于设计的驱动电路也易于并联，ESD保护，低电压驱动使该器件非常适合便携式设备。可应Interfacing , Switching。
2SK3019 中低压MOSFET 60V 100mA 双N通道 SOT-723封装
2302_78541435的博客
01-03 646
电压60V电流100mA，采用SOT-723封装形式。适用于低RDS (on)的高密度电池设计，压控小信号开关，坚固可靠，ESD保护。可应用便携式设备的负载开关，电池开关上。2SK3019小电流双N通道。
单N沟道低压MOS场效应管
深圳市泛海微电子有限公司
10-31 3267
单N沟道低压MOS场效应管 型号 沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装 直接替代型号 HM2302/A N沟道 20V 10V 0.7V 3A 10A 30mΩ SOT23 SOT23-3L Si2302/AP2302/XP151A APM2314/IRLML2...
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导读： 　　 　　摘自 http://zeng.li.zhi.blog.163.com/ 　　电解电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其
电子专业 常见面试题 （三）
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《2SK1590-VB N沟道SOT23封装MOS管详解》 2SK1590-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT23封装，适用于高速、低电压操作的电路。这款器件以其独特的特性和优势在电子行业中占据一席之地。...
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2SK2373ZE-TL-E-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，采用SOT23-3封装，适用于多种电子应用。作为一款沟道晶体管，它在现代电子设计中扮演着重要角色，特别是在开关电源、逻辑电平驱动及电源管理中。它采用Trench技术，有助...
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