赛灵思|RAM

Vivado中RAM分为分布式RAM和块RAM。两种实现方法在向RAM写入数据时都是采取同步方式，区别在于从RAM读取数据时，分布式RAM采用异步方式，块RAM采用同步方式。

块RAM分为单口RAM和双口RAM. 单口RAM只有一组数据线与地址线，因此读写不能同时进行。而双口RAM有两组数据线与地址线，读写可同时进行。FIFO读写可同时进行，可以看作是双口。

赛灵思官方将双口RAM分为Simple Dual Port RAM(伪双口RAM)和True Dual Port RAM(双口RAM)。

伪双口RAM，一个端口只写，另一个端口只读；而双口RAM两个端口都可以读写。FIFO也是一个端口只读，另一个端口只写。FIFO与伪双口RAM的区别在于，FIFO为先入先出，没有地址线，不能对存储单元寻址；而伪双口RAM两个端口都有地址线，可以对存储单元寻址。

伪双口RAM只有一个写端口，一个读端口。

blk_mem_gen_0 IP_sram (
  .clka(clk),    // input wire clka
  .ena(ena),      // input wire ena
  .wea(wr),      // input wire [0 : 0] wea
  .addra(addr_wr),  // input wire [3 : 0] addra
  .dina(map_in),    // input wire [15 : 0] dina
  .clkb(clk),    // input wire clkb
  .enb(enb),      // input wire enb
  .addrb(addr_rd),  // input wire [3 : 0] addrb
  .doutb(map_out)  // output wire [15 : 0] doutb
);

真双口RAM分别有两个写端口和两个读端口。

无论是简单双口RAM还是真双口RAM，在没有读操作的情况下，应将读使能rden信号拉成低电平，节省功耗。

在两种情况下，都应当避免read-during-write，虽然可在软件中进行设置，但是，作为设计者，应当尽量避免此种情况。

对于真双口RAM，还应当避免两个读端口或者两个写端口同时操作同一个地址，RAM中并没有此种冲突解决电路，设计者应该避免这种冲突。

无论是那种双口RAM，读时序图是相同的。

当读使能有效时，数据会在时钟下一个上升沿从Q端输出。

真双口RAM给设计带来很多便利。在高速存储中，需要对连续的数据同时处理，使用简单双口RAM只能读取一个数据，而使用真双口RAM可以同时读取两个数据，这样明显提高读取速度以及处理速度。