信号是怎么在晶体管中被放大的

前言：
从事电子通信行业的工程师想必大学都学过模电数电，但大学的教育大多只是对学生的行业认知起启蒙作用，很少有深入细致地讲解每种结构的工作机理，以及这些结构能被用来干什么。如果在上课的时候就被告知，我们接下来要学的某某器件结构会用在什么电路上起什么作用，想必学生的学习热情会高很多，半导体人才也不至于会有这么大缺口了。

大部分人在大学学的都是基于BJT的放大电路，但是实际使用的却更多是MOSFET结构。本文还是先从BJT开始分析。

单晶体管模型

根据掺杂不同可以分为NPN管和PNP管，有E（发射极）、B（基极）、C（集电极）三个极，两个PN结（发射结和集电结）。以NPN管为例，发射区电子浓度高会扩散到基区形成发射极电流IE；基区相当于水龙头的阀门，薄且空穴浓度低，少部分扩散来的电子会与空穴复合形成积极电流IB；集电区面积很大，加上正压后扩散到基区的电子大部分会漂移到集电区，形成集电极电流IC。IC比IB大很多，因而可以起到放大作用，IC=βIB。

根据两个PN结的偏置状态，BJT会处于截止、放大和饱和状态。

对应的输出特性曲线如下：