半导体三代工艺概述

半导体工艺从20世纪50年代开始，经过近百年的发展，按材料分，主要经历了三代。

第一代是Ⅳ族单质材料，如锗（Ge）和硅（Si）等，工艺最成熟成本也最低，现在的大规模集成电路往往采用此类工艺。

第二代是Ⅲ-Ⅴ族化合物，如砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等，工作频率高抗辐射，主要用于制作高速、高频、大功率及发光电子器件。

第三代是宽禁带材料，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，具有击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高等特点，主要应用高温、高频、抗辐射及大功率器件。

第一代半导体-Ge

世界上第一个半导体晶体管就是由Ge制造的。Ge的禁带宽度小，有利于发展低电压器件；电子空穴迁移速率快，可以制作高速器件。但是Ge在工艺和器件性能上有一些问题：

（1）熔点较低，937°C的熔点限制了高温工艺；
（2）表面缺少自然发生的氧化物，从而容易漏电；
（3）导电性好，容易过热；
（4）地球储量少，原材料稀缺。

这些都限制了Ge的大规模应用，因此基于Ge的半导体集成电路不太常见。
而Si基材料，相比Ge有如下几个绝对的优势：

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