各种逻辑输出类型（推挽、开漏、三态）之间有何差异？

推挽输出

推挽输出可在高电平状态下拉出电流或在低电平状态下灌入电流。在现代 CMOS 器件中，推挽输出的最常见配置如下所示：

输出状态	正驱动器 (pFET)	负驱动器 (nFET)
高电平	导通	关断
低电平	关断	导通

当输出处于高电平状态时：

P 沟道 MOSFET 导通，并从 VCC 向输出端拉出电流。

N 沟道 MOSFET 关断，不允许电流流向 GND。

当输出处于低电平状态时：

P 沟道 MOSFET 关断，不允许电流从 VCC 流出。

N 沟道 MOSFET 导通，并从输出端向 GND 灌入电流。

开漏输出

开漏输出只能在低电平状态下灌入电流。在现代 CMOS 器件中，开漏输出的最常见配置如下所示：

输出状态	负驱动器 (nFET)
高阻态	关断
低电平	导通

当输出处于高阻态时，N 沟道 MOSFET 关断，不允许任何电流流动。

当输出处于低电平状态时，N 沟道 MOSFET 导通并从输出端向 GND 灌入电流。

三态输出

三态输出可处于三种状态之一：驱动高电平、驱动低电平或不驱动（高阻抗）。三态输出的最常见配置如下所示：

输出状态	正驱动器 (pFET)	负驱动器 (nFET)
高电平	导通	关断
低电平	关断	导通
高阻态	关断	关断

当输出处于高电平状态时：

P 沟道 MOSFET 导通，并从 VCC 向输出端拉出电流。

N 沟道 MOSFET 关断，不允许电流流向 GND。

当输出处于低电平状态时：

P 沟道 MOSFET 关断，不允许电流从 VCC 流出。

N 沟道 MOSFET 导通，并从输出端向 GND 灌入电流。

当输出处于高阻态时：

P 沟道 MOSFET 关断，不允许电流从 VCC 流出。

N 沟道 MOSFET 关断，不允许电流流向 GND。