前言
MOS管设计重点
一、技术理论
场效应管分类:
1.结型场效应管:很少使用
2.绝缘栅型场效应管:也就是我们常说的MOS管
MOS管分类:
1.增强型:Ugs电压为0,Ids=0的管子
2.耗尽型:Ugs电压为0,Ids≠0的管子(很少用)
二、增强型NMOS管
常做开关跟低端驱动
三、增强型PMOS管
常做高端驱动与开关
四、寄生参数
1.寄生电容
mos管有寄生电容Cgs,此电容大小一般为pF级别,一般规格书可以查到。
使用时,要特别注意GS管教的寄生电容Cgs,控制MOS管的导通与截止,本质上是控制Cgs电容的充放电。(最好要加限流)
2.体二极管
体二极管与正常二极管特性相同,可利用体二极管防反接。
五、器件选型
1.MOS管类型
一般选择Nmos管,在同等工艺条件下,导通电阻Ron更小,发热更低,允许通过的电流更大,型号也更多。
2.Vgs电压
需要考虑开启电压,驱动电压,极限电压
3.Id电流
通常尺寸越大,导通电阻Ron越小,允许的Id越大,具体以数据首册为准
4.Vds电压
主要考虑Vds极限电压,防止击穿MOS管
5.开关性能
如果作为开关使用,需要考虑开关速率,开关性能,主要受寄生电容影响,因为开关过程需要对寄生电容充放电,产生开关损耗。