MOS管中的电容:
曲线:
栅-源/漏耦合电容,与电压无关,主要与沟道宽度有关;
Xd 不能随着L缩小而减小,因此寄生电容随着特征尺寸的缩小而增大;
结电容:PN结电容,与有源区的周长成正比;
减小结电容的最佳方法为:减小漏区的面积与周长(参考下图);
小结:
- 栅-沟道电容和pn结电容都是非线性电容,电容值与晶体管偏置电压有关;
- 栅-沟道电容和栅面积(W * L)成正比,耦合电容和W成正比;
- pn结电容和扩散区的面积与周长成正比;
- 简单的讲,一般W越大,寄生电容越大;