MOS管电容的原理特性及其优缺点

模拟IC电路设计中，会经常用到电容。芯片内部的电容一般使用金属当作上下基板，但是这种金属电容缺点是消耗面积太大。为了作为替代，在一些对电容要求不是很高的电路中，有人就想到了MOS管。

确实，MOS管作为电容，相比使用金属电容来讲，同样容值要求下，可以节省不少面积。那么电子网就来说下MOS管电容的原理及优缺点。

MOS管电容的原理

MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。

以下图的NMOS管为例。

NMOS的剖面图

它的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。

当gate的电源大到一定程度，超过阈值电压VTH，会引起源漏之间出现反型层，即沟道形成，这样栅氧就充当了gate与沟道之间的绝缘介质，一个电容就形成了。这个电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。

如果gate电压是个比地还低的电压，这个时候源漏之间的N型沟道不能形成，但是却会使P型衬底的空穴在栅氧下方累积。如此一来，gate与衬底之间仍然会形成电容，此时的绝缘介质仍是栅氧，所以此时与形成沟道时的电容大小几无二致。

如果gate电压处在一个不尴不尬的位置，既不能使源漏之间形成沟道，也不能使P型衬底的空穴在上方积累。此时可以认为，栅氧下方会形成一个空间电荷区，这个空间电荷区是电子与空穴结合后形成的区域，所以它不带电，是一个