采用新一代功率MOSFET技术IPD130N10NF2S、IPD052N10NF2S、IPD029N04NF2S、IPD023N04NF2S StrongIRFET™2系列器件

一、简介

StrongIRFET™2系列，采用新一代功率MOSFET技术，可满足开关电源、 电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。

该系列产品实用性强、性价比高，对于追求便捷选购的设计师而言，堪称理想之选。 该系列产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化，可为各种应用提供支持，实现灵活设计。新产品支持各类封装，包括TO-220， TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引脚以及DPAK封装。

二、引脚配置及封装

今天主要介绍的四款器件均采用DPAK封装：IPD130N10NF2S、IPD052N10NF2S、IPD029N04NF2S、IPD023N04NF2S（明佳达）

三、规格

1、IPD130N10NF2S，N通道 100V 功率MOSFET
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），71W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

2、IPD052N10NF2S（100V）N通道 功率MOSFET PG-TO252-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），118A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 84µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3600 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3

3、IPD029N04NF2S，N通道 40V MOSFET 表面贴装型 PG-TO252-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号：IPD029

4、IPD023N04NF2S 表面贴装型 N通道 40V 27A（Ta），143A（Tc）PG-TO252-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），143A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 81µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4800 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号：IPD023

四、特点及优点

主要特点
分销合作伙伴可选范围广
出色的性价比
高开关频率和低开关频率的理想选择
符合行业标准的封装
高电流额定值

主要优点
供应保障增强
产品合适支持多种应用
标准引脚允许直接替换
提高了产品耐用性

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