【半导体】650V SiC FET: UF3SC065040B7S、UJ3C065080B3、UJ3C065080K3S、UJ3C065080T3S分立式晶体管的产品概述、特征、及应用。

一、UF3SC高性能SiC FET

UF3SC高性能SiC FET（采用D2-PAK封装）（7引脚Kelvin封装）基于独特“共源共栅”的电路配置，具有出色的反向恢复。该电路配置包括一个常开型SiC JFET，可与Si MOSFET共同封装，产生常闭型SiC FET器件。

UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件。这些高性能SiC FET的最高工作温度为175°C，栅极电荷低至43nC，典型阈值电压为5V。

特征
650V 30mΩ和40mΩ，以及1200V 40mΩ
ESD保护和HBM级别2
栅极驱动器特性，带插入式替代品
最高工作温度：175°C
43nC的低栅极电荷
阈值电压：5V（典型值）
开尔文源极引脚，用于优化开关性能

应用
电信和服务器电源
电机驱动器
感应加热
工业电源
功率因数校正模块

UF3SC065040B7S 650 V, 42 mohm SiC FET D2PAK-7L

规格
技术：SiC
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：D2PAK-7
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：43 A
Rds On-漏源导通电阻：42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：6 V
Qg-栅极电荷：43 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：195 W
通道模式：Enhancement
商标名：SiC FET
系列：UF3SC
配置：Single
下降时间：9 ns, 12 ns
湿度敏感性：Yes
产品：SiC FETs
产品类型：MOSFET
上升时间：24 ns, 27 ns
典型关闭延迟时间：45 ns, 47 ns
典型接通延迟时间：22 ns
单位重量：4.675 g

二、UnitedSiC UJ3C SiC FET

UJ3C SiC FET是碳化硅（SiC）FET，基于独特的级联配置，并针对软开关设计进行了优化。UJ3C SiC FET非常适合用于升级现有基于硅的器件或启动基于SiC的新设计。这些器件集成有SiC JFET和定制设计Si-MOSFET，将常关型操作、高性能体二极管和MOSFET的简单栅极驱动与SiC JFET的效率、速度和高温等级完美结合。因此，现有系统将改进性能，具有较低的传导和开关损耗、增强的热特性以及集成的栅极ESD保护。

在新的设计中，UJ3C FET提供更高的开关频率，在效率以及无源部件（如磁性器件和电容器）尺寸减小和成本缩减方面呈现出显著的系统优势。

UJ3C SiC FET采用行业标准D2PAK-3L、TO-220-3L和TO-247-3L封装。大多数器件符合AEC-Q101标准，可用于汽车应用。

UJ3C065080B3 650 V, 80 mohm SiC FET D2PAK-3L
技术：SiC
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：25 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：115 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UJ3C
配置：Single
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
典型关闭延迟时间：59 ns
典型接通延迟时间：18 ns
单位重量：3.082 g

UJ3C065080K3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-247-3L
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：31 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：190 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UJ3C
配置：Single
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
典型关闭延迟时间：59 ns
典型接通延迟时间：18 ns
单位重量：6 g

UJ3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L
技术：SiC
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-220-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：31 A
Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：190 W
通道模式：Enhancemen
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UJ3C
配置：Single
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
典型关闭延迟时间：59 ns
典型接通延迟时间：18 ns
单位重量：2 g

应用
EV充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热

650V SiC FET: UF3SC065040B7S、UJ3C065080B3、UJ3C065080K3S、UJ3C065080T3S分立式晶体管的产品 —— 明佳达

650V 碳化硅 (SiC) MOSFET系列器件：
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080K3S
UF3C065080T3S
UF3SC065040B7S
UJ3C065080B3
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S

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