内容概述:
- 半导体元件的原理
- 存储芯片的基本原理
- 如何实现不同的寻址方式
1.半导体元件的原理
存储元→存储单元→存储体
一个存储元可以存放一个二进制0或者1 MOS管+电容
电容里面有电荷-1
电容里面无电荷-0
读取存储元内的方法:
- 给MOS管通电使其导通
- 查看导出是否有电流
- 有则是1,无则是0
写入存储元的方法:
- 0不用操作
- 需要写入1则接通MOS管
- 外电流流入,电容上极板电压升高
- 产生电压差,存储电荷
- 断开MOS管,电流存储在其中
多个存储元合并到一起构成存储单元
多个存储单元合并到一起构成存储体(存储矩阵)
由于存储元并排放置,放置多少个,存储字长就有多少bit
如果接通,则整个行都会一起接通
怎样对应存储体内的存储单元地址:
存储体会连接地址寄存器
地址总线---MAR地址寄存器---译码器---存储体
地址寄存器发出一个地址---译码器(n位地址,对应2^n个存储单元)
译码器会自动将地址对应存储单元地址
译码器---字选择线--数据线(位线)---每一条信息传输到MDR中---数据总线---CPU
数据总线宽度=存储字长
总容量 = 存储单元个数 * 存储字长
控制电路:
- 片选线(-CS或者-CE)chip select 芯片选择信号 chip enable 芯片使能信号
- 读\写控制线
- 一根线: -WE 低电平写 高电平读
- 两根线:-WE允许写 -OE允许读
- 一根两根暴露出的引脚数是不一样的
连接 MAR 译码器 MDR
电信号不稳定
MAR数据稳定之后,才能让其进入译码器
打开译码器开关,让译码器翻译来的数据
译码器传出的信号稳定后,才能让其进入MDR
2.存储芯片的基本原理
地址线 存储器芯片 数据线
片选线 读写控制线
组成
- 译码驱动
- 存储矩阵
- 读写电路
译码驱动:
让译码器输出的数据更加稳定可靠
一个内存条可能包含多块存储芯片
芯片的金属引脚数=地址线+片选线+数据线+读写控制线+供电引脚+接地引脚
n位地址--n个地址线
8*8位的存储芯片
8个存储单元+8位存储字长(每个存储单元都多少位的信息,每一行都多少存储元件)
8k * 8位:2^13 * 8bit
64k * 16位:2^16 * 16bit
3.如何实现不同的寻址方式
假设 字长为4B 总容量为1KB
按字节编址 10根地址线(1KB)0-1023
- 按字节寻址 1K个单元,每个单元1B
- 按字寻址 256个单元,每个单元4B
- 按半字寻址 512个单元,每个单元2B
- 按双字寻址 128个单元,每个单元8B
字地址算术左移两位可以变成字节地址
1→100 1→4