计算机组成原理自学笔记——主存储器的基本组成

文章详细阐述了半导体元件,尤其是存储芯片的工作原理,包括存储元、存储单元和存储体的构建,以及如何通过地址线、译码器和控制线进行寻址。同时介绍了不同寻址方式,如按字节、字、半字和双字寻址在总容量和地址线数量上的差异。
摘要由CSDN通过智能技术生成

内容概述:

  • 半导体元件的原理
  • 存储芯片的基本原理
  • 如何实现不同的寻址方式

1.半导体元件的原理

存储元→存储单元→存储体

一个存储元可以存放一个二进制0或者1            MOS管+电容

电容里面有电荷-1

电容里面无电荷-0

读取存储元内的方法:

  1. 给MOS管通电使其导通
  2. 查看导出是否有电流
  3. 有则是1,无则是0

写入存储元的方法:

  1. 0不用操作
  2. 需要写入1则接通MOS管
  3. 外电流流入,电容上极板电压升高
  4. 产生电压差,存储电荷
  5. 断开MOS管,电流存储在其中

多个存储元合并到一起构成存储单元

多个存储单元合并到一起构成存储体(存储矩阵)

由于存储元并排放置,放置多少个,存储字长就有多少bit

如果接通,则整个行都会一起接通

怎样对应存储体内的存储单元地址:

        存储体会连接地址寄存器

        地址总线---MAR地址寄存器---译码器---存储体

        地址寄存器发出一个地址---译码器(n位地址,对应2^n个存储单元)

        译码器会自动将地址对应存储单元地址

译码器---字选择线--数据线(位线)---每一条信息传输到MDR中---数据总线---CPU

数据总线宽度=存储字长

总容量 = 存储单元个数 * 存储字长

控制电路:

  • 片选线(-CS或者-CE)chip select 芯片选择信号 chip enable 芯片使能信号
  • 读\写控制线 
  • 一根线: -WE   低电平写 高电平读
  • 两根线:-WE允许写  -OE允许读
  • 一根两根暴露出的引脚数是不一样的

连接  MAR  译码器   MDR

电信号不稳定

MAR数据稳定之后,才能让其进入译码器

打开译码器开关,让译码器翻译来的数据

译码器传出的信号稳定后,才能让其进入MDR

2.存储芯片的基本原理

地址线        存储器芯片       数据线

片选线                                 读写控制线

组成

  • 译码驱动
  • 存储矩阵
  • 读写电路

译码驱动:

        让译码器输出的数据更加稳定可靠

一个内存条可能包含多块存储芯片

芯片的金属引脚数=地址线+片选线+数据线+读写控制线+供电引脚+接地引脚

n位地址--n个地址线

8*8位的存储芯片

        8个存储单元+8位存储字长(每个存储单元都多少位的信息,每一行都多少存储元件)

        8k * 8位:2^13 * 8bit

        64k * 16位:2^16 * 16bit

3.如何实现不同的寻址方式

假设 字长为4B 总容量为1KB

按字节编址  10根地址线(1KB)0-1023

  • 按字节寻址   1K个单元,每个单元1B
  • 按字寻址       256个单元,每个单元4B
  • 按半字寻址   512个单元,每个单元2B
  • 按双字寻址   128个单元,每个单元8B

字地址算术左移两位可以变成字节地址

        1→100       1→4

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