DRAM、SRAM、EEPROM、Flash 闪存、MRAM各自特点

内存技术比较

DRAM —— 边缘计算应用程序的设计者通常有几种内存技术可供其选择，不同的内存技术就会提供不同的性能和权衡。在软件执行期间，DRAM 通常为各种类型的处理器提供工作内存。它价格便宜，与 SRAM 相比速度较慢，耗能大，并且只在有电源供应时才保存数据。此外，DRAM 内存单元易受辐射损坏。

SRAM —— SRAM 比 DRAM 更快，也更贵。它经常被用作处理器的高速缓存，而 DRAM 提供主存。它也是最耗电的内存，像DRAM一样，它是一种易失性内存。SRAM 单元易受到辐射破坏，DRAM 和 SRAM 都提供了较高的耐久性。

EEPROM —— EEPROM 是一种使用外部电压来擦除数据的非易失性存储器。eeprom 速度很慢，寿命有限——通常可达 100万次 ，而且相对耗电较多。EEPROM 是目前在内存技术中使用最少的。

Flash 闪存 —— Flash 闪存是 EEPROM 的变体，具有更大的存储容量和更快的读写速度，但仍然相对较慢。Flash 很便宜，而且数据在断电的情况下可以保存长达 10年。然而，相对于其他内存类型，Flash 使用起来更加复杂。数据必须以块的形式读取，不能逐字节读取。同样，在被重写之前，单元格必须被擦除。擦除必须逐块执行，而不是逐个字节执行。

MRAM —— 就其本身而言，MRAM 是一个真正的随机访问存储器; 在内存中允许读写操作随机发生。MRAM 在待机状态下还具有零泄漏的特性，在 85°C 条件下承受 1016次 写循环和20年 以上的数据保留能力。它目前提供的密度从 4兆比特(Mbits) 到 16兆比特。

MRAM 类似于 flash 技术，具有 SRAM 兼容的读/写周期 (MRAM 有时也被称为持久 SRAM (P-SRAM))。因此，MRAM 特别适合于那些必须以最小延迟存储和检索数据的应用程序。它将这种低延迟、低功耗、无限持久性、可伸缩性和非易变性结合在一起。MRAM 对阿尔法粒子的固有免疫能力也让它能够经常暴露于辐射之下。