读取优先和SRAM-MRAM混合结构

最新推荐文章于 2024-02-06 20:14:11 发布
最新推荐文章于 2024-02-06 20:14:11 发布
阅读量344 收藏 2
点赞数
文章标签： 存储器 SRAM MRAM
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/NETSOL/article/details/109598899
版权
文章探讨了如何通过采用读取优先的写入缓冲器策略和SRAM-MRAM混合结构来解决MRAM在高速缓存应用中的性能和功耗问题。读取优先策略保证了读操作的高效，而SRAM-MRAM混合结构减少了MRAM中的写入操作，从而提高了整体性能并降低了功耗。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。

读取优先和SRAM-MRAM混合结构
直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。

读取优先的写入缓冲器
因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策略来解决读取和写入命令的冲突。对于MRAM高速缓存,写入延时远大于读取延时,因此应防止写入操作阻塞读取操作。

提出两条规则来确保读取操作的优先权:
(1)读取操作总是具有高于写入操作的优先权。

(2)当写入操作阻塞了读取操作且写入缓冲器未满,在满足特定优先条件下，读取命令可以使当前写入操作中止。然后读取命令获得执行权力。被中止的写入操作稍后重试。用完成度α作为优先条件,完成度低于α时读取命令不会获取优先权。经模拟定α为50%可以满足各种工作条件。实现这一策略需要一个计数器,当写入开始时从O开始计数。高速缓存控制器检查计数器然后决定是否中止当前写入操作来执行读取操作。与直接用MRAM取代SRAM的方案相比，这一策略消除了性能上的退步，但是功耗增加了,因为部分写入操作需要重新执行。

SRAM-MRAM混合结构的L2高速缓存
研究者提出用SRAM-MRAM混合结构取代纯粹的MRAM存储器,其中SRAM只占一小部分。其主要目的是尽量使写入操作集中到SRAM而减少了MRAM中的写入操作数量。
在这里插入图片描述

图1SRAM-MRAM混合结构

最低0.47元/天 解锁文章
NETSOL
关注
3.3Sram和Dram
人生得意须尽欢
01-26 3120
计算机组成原理之Sram和Dram
MRAM可以替代NOR或SRAM
NETSOL的博客
06-09 979
内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。 如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率，尤其是DRAM，这需要定期且频繁地刷新内存中的数据。物联网等许多新应用程序要求将连接的传感器和其他设备放置在能量受限的情况下，依靠电池运行或使用能量收集。在数据中心中，诸如DRAM之类的存储器消耗了总功率的很大一
DRAM、SRAM、EEPROM、Flash 闪存、MRAM各自特点
NBDR_YL的博客
06-12 2532
Flash 闪存 —— Flash 闪存是 EEPROM 的变体，具有更大的存储容量和更快的读写速度，但仍然相对较慢。DRAM —— 边缘计算应用程序的设计者通常有几种内存技术可供其选择，不同的内存技术就会提供不同的性能和权衡。它价格便宜，与 SRAM 相比速度较慢，耗能大，并且只在有电源供应时才保存数据。在内存中允许读写操作随机发生。MRAM 在待机状态下还具有零泄漏的特性，在 85°C 条件下承受 1016次 写循环和20年 以上的数据保留能力。它也是最耗电的内存，像DRAM一样，它是一种易失性内存。
MRAM与常用计算机内存的性能比较
NETSOL的博客
09-07 320
新千年信息怎样储存?又需要如何传输?MRAM芯片是磁阻随机存取存储器。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。 1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下: 技术指标: 具有sram芯片的随机存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存储密度; 具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。 产品目标: 取代计算机的DRAM内存， 取代手机的EEPROM闪存。
SRAM的读写操作
09-24
用verilog 写的SRAM程序，代码可综合，运行无错误
详解ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH.pdf
07-07
随着存储技术的不断进步，新的存储技术也在不断涌现，例如MRAM（Magnetoresistive RAM）、FeRAM（Ferroelectric RAM）和PRAM（Phase Change RAM）等，它们以不同的方式存储数据，旨在提供更高的速度、更低的功耗和更...
Cypress推出0.13微米SONOS生产的4-Mbit nvSRAM
12-05
同时，相较于磁性存储器（MRAM）和铁电存储器（FRAM），nvSRAM在经济性和可靠性上更具优势。 赛普拉斯的这款4-Mbit nvSRAM是其nvSRAM产品系列的最新成员，系列中还包括已批量生产的256K和1Mbit型号。计划在2008年上...
嵌入式系统/ARM技术中的推出 2 Mbit 和 8 Mbit 存储器（Cypress）
11-17
这种新型的2 Mbit和8 Mbit nvSRAM具有20纳秒的超快存取时间，这意味着数据读取和写入速度极快，适合于需要实时高速处理的系统。更重要的是，nvSRAM可以无限次地进行读写操作，并且能保证数据在20年内保持完整，这在...
台积电TSMC一些技术特点
吴建明wujianming_110117
09-04 1313
台积电TSMC一些技术特点 TSMC 3DFabric™，这是全面的 3D 硅堆叠和先进封装技术系列。3DFabric™ 补充了先进的半导体技术，以释放客户的创新。 封装技术曾经被认为只是后端流程，几乎是一种不便。时代变了。计算工作负载在过去十年中的发展，可能比前四个十年要大。云计算，大数据分析，人工智能 (AI)，神经网络训练，人工智能推理，先进智能手机上的移动计算，甚至自动驾驶汽车，都在推动计算极限。 现代工作负载将封装技术推向了创新的前沿，对产品的性能，功能和成本至关重要。这些现代工作负载推动产品设计
未来高速缓存战场：SOT-MRAM与SRAM的角逐
最新发布
tutututu12345678的博客
02-06 1097
SOT-MRAM是从更成熟的自旋转移矩MRAM(STT-MRAM)演变而来的，由于具有更好的耐久性和两个二进制状态之间更快的切换速度，因此具有更好的缓存应用前景。存储单元写入是通过切换自由层(即MRAM位元的“存储”层)的磁性来完成的，而读取则是通过电流流过MTJ结来测量MTJ的磁阻来实现的。与传统的存储器相比，SOT-MRAM具有更低的功耗、更高的密度和更快的响应速度，被认为是存储技术领域的一大创新。随着信息时代的到来，数据的增长速度越来越快，传统的存储技术已经难以满足日益增长的需求。
MRAM与现行各类存储器的比较
EVERSPIN的博客
11-25 1540
MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器(SRAM)类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。 MRAM可以做到与动态随机存储器(DRAM)类似的高密度，而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等优势，因为磁体没有漏电(leakage)之说。MRAM 与闪存（FLASH)同样是非易失性的，它还具备了写入和读取速度相同的优点，并具有承受无限多次读一写循环的能力。(在自由磁体层中来回切换的运动是电子的自旋,而电子本身永远不会磨损)
【计算机基础】计算机组成-DRAM与SRAM
ncc1995的博客
08-30 4819
0.摘要 DRAM一般用作计算机中的主存储器，即内存条。 SRAM一般用来作为计算机中的告诉缓冲存储器，即CPU或GPU中的Cache。 1.RAM 首先，我们了解一下什么是RAM: RAM，全称random access memory，即随机存取存储器，又称作随机存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也俗称内存。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中...
DRAM和SRAM的区别
SummerXRT的博客
07-29 4万+
文章目录一、RAM介绍DRAM和SRAM区别1. 内部结构不同2. 寻址方式不同二、ROM 一、RAM 介绍 RAM，即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。 分为SRAM和DRAM： DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。 SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路来保存数据。 特点如下： 下面详细阐述一下区别： DRAM和SRAM区别 1. 内部结构不同 SRAM是依靠触发器
dram和sram的区别
xinxin_stone的博客
05-16 8554
DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。 SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路.因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较DRAM大 ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。” SRAM是依靠触发器存储数据，每个存储元（存储1bit数据）需要花费6个晶体管..
SRAM/DRAM优缺点对比
qq_44943193的博客
09-25 9435
SRAM：静态随机存储器 DRAM：动态随机存储器 SRAM 组成：采用锁存器作为记忆单元，用静态存储单元构成的存储器成为静态存储器，通常有NMOS和COMS两种。 优点： 1.数据由锁存器记忆，不需要另设电路定期刷新。 2.存取速度很快（SRAM采用了与制作CPU相同的半导体工艺）。 缺点： 1.所有元件较多，集成度比DRAM低。 2.功耗较大。 3.体积较大，制造成本比DRAM高。 DRAM 组成：采用MOS管的栅电容（分布电容）来存储数据，用动态存储单元构成的储存器称为动态存储器。 优点：所用元件少，
SRAM和DRAM的区别
热门推荐
hdanbang的专栏
05-11 5万+
随机访问存储器(RAM)分为静态随机访问存储器（Static Random Access Memory - SRAM）和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory -DRAM)。 一、静态随机访问存储器（SRAM） 静态随机访问存储器是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取
浅谈关于SRAM与DRAM的区别
weixin_30379531的博客
10-09 2601
　　在上体系结构这门课之前，我只知道DRAM用作内存比较多，SRAM用作cache比较多。在今天讲到内存技术时，我对于这两个基础概念有了更加完整的认识。这篇文章是我的听课心得，现在分享给各位，仅供参考，若有错误多多指正。 　　从名字上看，SRAM与DRAM的区别只在于一个是静态一个是动态。由于SRAM不需要刷新电路就能够保存数据，所以具有静止存取数据的作用。而DRAM则需要不停地刷新电路，否则内...
ROM，RAM，SRAM，DRAM的概念及区别
Oliver2017的博客
11-02 1万+
ROM和RAM都是常见的存储器，本文主要梳理ROM，RAM，SRAM，DRAM的概念及区别，属于较简单的介绍。 早期的概念中，ROM是只读存储器（read  only  memory）的简称，从名字可以看出，ROM只能读取已经存好的数据，当数据一旦存储完成后，就无法将之修改或者删除，系统电源关闭后，数据也不会丢失。但是，随着技术发展，EEPROM诞生后，也可以更改存储的数据。 再看RAM的概念
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值