EEPROM与内存Flash消耗能量计算

本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。

首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5 ms，写入电流为3 mA（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。

•写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。

•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的； MRAM只需要通信时间，因为写入时间很短，因此它可以被视为零。）

•EEPROM直接由微控制器I / O供电，并使用一个小的（0.1μF）去耦电容。

内存Flash消耗的能量
内存Flash具有更高的写入和待机电流，因此我们将使用50μA的待机电流（写入时间）在我们的评估中为3 ms，写入电流为15 mA࿰