本文介绍了ISSI IS61WV204816ALL，这是一款高速、32M位静态RAM，采用高性能CMOS工艺制造，具备低功耗特性。该SRAM支持待机、写入和读取模式，并可通过CS#和OE#进行内存扩展。此外，它还提供了48引脚TSOP和微型BGA两种封装形式，适用于工业和汽车温度范围，并支持高低字节数据控制。
ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入，可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。
IS61WV204816ALL采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPEI）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。
引脚配置
48针微型BGA（6mmx8mm） 48针TSOP，I型（12mmx20mm）
IS61WV204816AL特征
•高速访问时间：10ns，12ns
•高性能，低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚，可增强抗噪能力
•使用CS＃和OE＃轻松进行内存扩展
•TTL兼容的输入和输出
•单电源
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