外扩SRAM IS62WV102416EBLL

IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC标准的48引脚BGA（6mmx8mm）封装。

引脚配置
48引脚BGA

功能说明

SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址可以随机访问。SRAM存储器支持三种不同的模式.

待机模式
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I/O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。

写模式
选择芯片时（LOW和CS2HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入