电源学习总结(五)——开关电源基本原理

前面讲了一些线性稳压的原理和设计的基本方法,事实上,除了一些功率较大或者对精度要求较高的电源设计,使用集成的线性稳压芯片很少出现“翻车”事故,一般只需关注输入输出范围即可。此外,需注意由于集成的开关电源芯片(尤其是贴片封装的,如SOT-223),由于体积较小,散热较差,一般工作电流在300mA时已经较烫,500mA以上应考虑加散热片辅助散热。
总的来说线性稳压电源设计较为简单,本文开始总结一些开关电源相关的原理和设计方法,

开关电源的特点

开关电源正如其“名”,其利用半导体管的“开”和“关”实现对控制的输出,由于半导体工艺的进步,半导体管已经能承受较大的电流,并且内阻极小,一般可小于20mΩ,因此开关电源输出能力较强,且效率极高。但同时因其开关特性,其输出不可避免的引入了与工作频率同频率的纹波及其高次谐波,因此一般用于功率较高但对精度要求不高的电路,且若与对精度要求较高的模拟电路之间需要单点接地以消除干扰。

开关电源拓扑结构

常见的DC-DC变换器拓扑结构有Buck、Boost、Buck-Boost、Cuk、Zzeta、Sepic等几种,其中最为常用的是前三种,后面会以Buck电路为例重点介绍。

开关电源的分析计算一般是基于对电感的伏秒平衡关系分析,下面举例说明三种最常用的开关电源结构。需要注意的是,这里仅为了说明原理,实际应用中由于效率、成本等因素的影响结构会有所不同。

Buck拓扑结构

在这里插入图片描述
上图为Buck电路的基本拓扑结构,首先感性认知一下,由PWM控制的NMOS管不断的开关,当Q1导通时,输入电压经过电感L1给电容C1充电,由于“电感电流不突变,电容电压不突变”的特性,输出电压逐渐上升,在尚未上升到输入电压时Q1截止,此时LCD构成新的回路,由于电感的“续流”和电容持续提供能量,输出电压逐渐下降。Q1不断开关,重复上述过程,最终输出电压在一个较小的范围内波动。

下面进行计算分析,假设上述控制Q1开关的PWM信号占空比为D,频率为f,则
T o n = D f ( 1 ) T_{on}=\frac{D}{f}(1) Ton=fD1
T o f f = 1 − D f ( 2 ) T_{off}=\frac{1-D}{f}(2) Toff=f1D2
根据伏秒平衡可得
∣ ( V i n − V o u t ) T o n ∣ = ∣ ( 0 − V o u t ) T o f f ∣ ( 3 ) |(V_{in}-V_{out})T_{on}|=|(0-V_{out})T_{off}|(3) (VinVout)Ton=(0Vout)Toff3
化简得
V o u t V i n = D ( 4 ) \frac{V_{out}}{V_{in}}=D(4) VinVout=D4
此时计算得到的即为指定输入和输出时候的占空比,当然上述计算都是有一个假设前提,即电路效率为100%,实际上有损耗占空比会略高于理论值,同时实际运用中很难有一个稳定输入的电源,比如使用电池供电,随着电能的消耗,电池实际输出电压会降低,因此实际使用中需利用实际输出电压反馈来调整占空比。
在这里插入图片描述
如图为Buck拓扑结构的multisim仿真,黄色为输出电压,红色为输出电流(1mV/mA),以函数发生器提供PWM(10kHz,50%,3.3V),输入电压8.4V(模拟的是2s锂电池),根据公式(4)可得理论输出电压为4.2V,但从图中可以看出,实际输出电压仅为约5.4mV,这是因为PWM电压仅为3.3V,不能使MOSFET完全导通,实际上欲使MOSFET完全导通需要的电压一般高于整个开关电源的输入电压(早期的开关电源多使用三极管,此时更好理解,欲使三极管工作在饱和区,控制信号所在的基极电压需大于电源输入端所在的集电极),而要产生这样一个电压大于输入电压的控制信号是非常困难的,实际上控制信号一般为3.3V或者5V,后续的博文在讲述实际使用的Buck电路结构时将详细说明该问题的解决方案(剧透一下~一个自举电容就能解决问题)。
在这里插入图片描述
这里暂时以提高PWM的方法代替,得到如图所示仿真结果,可以看到实际输出确为4.2V左右,同时输出电压有明显的周期性波动,该周期性波动的频率即为控制信号频率,波动大小与LC的参数有关。实际上PWM控制开关管输出的是一个有效值为目标输出的方波,经过LC滤波器滤除交流部分得到输出基本稳定的直流电源。

上图红色曲线为电流曲线,可以看到电流是连续的,也就是说每次开关电感都没有完全放电,这种开关模式被称为连续导通模式(CCM,Continuous Conduction Mode);与之相对的是断续导通模式(DCM,Discontinous Conduction Mode),其在每个周期电感完全放电,也就是说其在一个周期内存在输出电压为“0”的情况;另外还有一种介于两者之间的临界模式(Boundary Conduction Mode),但这是一种非标准的设计模式。

Boost拓扑结构

在这里插入图片描述
如图为Boost电路的拓扑结构,感性认知,即MOS管Q2导通时,由于电感近似短路,电流迅速上升;Q2截止时,由于电感电流不能突变,电感继续提供一个很大的电流给电容充电,从而达到输出高于输出的效果。

再进行计算分析,根据伏秒平衡可得
∣ ( V i n − 0 ) T o n ∣ = ∣ ( V i n − V o u t ) T o f f ∣ ( 5 ) |(V_{in}-0)T_{on}|=|(V_{in}-V_{out})T_{off}|(5) (Vin0)Ton=(VinVout)Toff5
化简得
V o u t V i n = 1 1 − D ( 6 ) \frac{V_{out}}{V_{in}}=\frac{1}{1-D}(6) VinVout=1D16

Buck&Boost拓扑结构

在这里插入图片描述
根据伏秒平衡可得
∣ ( V i n − 0 ) T o n ∣ = ∣ V o u t − 0 ) T o f f ∣ ( 7 ) |(V_{in}-0)T_{on}|=|V_{out}-0)T_{off}|(7) (Vin0)Ton=Vout0)Toff7
化简得
V o u t V i n = D 1 − D ( 8 ) \frac{V_{out}}{V_{in}}=\frac{D}{1-D}(8) VinVout=1DD8

以上说明了几种开关电源的基本原理,当然,多数时候我们都是直接使用集成的开关电源芯片,如TI的TPS系列。常用的DC-DC芯片有MP2359、TPS565208等。后续的文章会说明如何选用集成的开关电源芯片设计电源。

Multisim仿真文件下载地址:

  1. 开关电源拓扑结构
    链接:https://pan.baidu.com/s/1-XPdC3d-otRIFWQUSUTsHA
    提取码:bkit
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