#硬件电路设计VL817-Q7(B0)芯片拓展USB3.0一转四调试心得

博客围绕嵌入式硬件展开,介绍了基于XL4005的电源供电电路,涉及多种二极管、静电防护器件等;阐述了PMOS构成的开关电路及并联二极管的作用;说明了USB3.0头接线情况;还提及主控电路中的复位电路工作状态。

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供电电路

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基于XL4005的电源供电电路

SS34肖特基二极管
ZMM5V1稳压二极管
SMAJ15A TVS (注意这个封装搞错5V会短接)

Vout=0.8*[1+(R2+R3)/R1]

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D14 SR05静电防护器件 一路稳压两路TVS

共模电感 :
型号: SDCW2012-2-900TF
品牌: Sunlord(顺络)
封装: SMD-4P,1.2x2mm
描述:线路数:2 阻抗 @ 频率:90Ω@100MHz 直流电阻(DCR):350mΩ 绕线共模电感
U10:
PD4E05U06DQAR
静电放电(ESD)保护器件
“SMT扩展库”
型号: TPD4E05U06DQAR
品牌: TECH PUBLIC(台舟)
封装: USON-10
描述: ESD管 5V DFN2510-10 静电放电保护器件

USB3.0是由USB2.0和USB3.0TX RX构成的
在走线过程中TXRX的N和P能够交换防止走线缠绕
USB2.0 90欧 5mil
USB3.0 100欧5mil

PMOS构成的开关电路

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VGS<VGSTH 导通

MOS并联二极管的作用:

保护作用:当流过SD的电流过大时可以分流一部分;对于高速开关的场合,体二极管由于开通速度过慢,导致无法迅速开通,电流无法通过,进而损坏MOS,因此并联的二极管多为快恢复或肖特基。
降低损耗:MOS的体二极管压降要大于肖特基二极管,其导通损耗较大,外部并联肖特基二极管可以降低导通损耗(有待确定)。
体二极管反向恢复特性差于肖特基,外部并联肖特基二极管可以降低反向恢复的损耗。

3.0头接线

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SY6288AAAC 开关电路带过流保护
高有效 0.6A OCB:L overcurrent H Nomal

主控电路

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复位电路

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System Reset
Low: Reset
High: Normal Operation

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