半导体物理重要物理图像

蒜了吧先

已于 2025-03-24 22:15:10 修改

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分类专栏：半导体物理文章标签：学习

于 2025-03-24 21:08:31 首次发布

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费米-狄喇克分布函数

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$\mu$ 实际上就是费米能级，它是T的函数，在一定的温度和掺杂浓度下是固定的，而e指数分母上还有一个T，从而导致了曲线的变化，而实际上随着T的变化费米能级 $\mu$ 同样也在变化，不同颜色的曲线实际上中心并不相同。

自由电子模型和近自由电子模型

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考虑到周期性势场的作用，薛定谔方程的能量解出现了不连续的情况。在物理上是由于布喇格反射所导致的两类不同的电子驻波所具有的能量不同。

能带中轨道的数目

薛定谔方程的解中允许波矢的范围在第一布里渊区中，根据布喇格反射条件计算出第一布里渊区的波矢总数恰好等于晶体中的初基晶胞数目，每个初基晶胞贡献一个独立的k值，两个允许轨道，因此每个能带中存在2N个独立轨道。

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直接能隙半导体和间接能隙半导体

直接跃迁直接满足能动量守恒，间接跃迁需要声子参加满足能动量守恒。
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电子的E-k v-k m*-k关系

电子的色散关系所导出的速度和质量与k的关系。

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导带电子状态密度和价带空穴状态密度

表示了单位能量间隙内的电子/空穴允许状态（轨道）数，对球形等能面，它和E的1/2次方成正比。

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而在一维和二维中有不一样的关系：

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导带电子浓度的计算

状态密度和费米分布函数的乘积只在靠近导带底的部分有意义。

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同理，状态密度和费米分布函数的乘积只在靠近价带顶的部分有意义。

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本征载流子浓度和温度的对数坐标图

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n型半导体的费米能级随温度变化关系

从左到右依次是：低温弱电离区、中间电离区、强电离区、过渡区、本征激发区。公式中没有中间电离区的公式。

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n型半导体中电子浓度随温度变化关系

中间是强电离区，电子浓度基本不变，温度再升高就进入本征激发区，器件不能正常工作。

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强电离下不同掺杂水平的费米能级

以n型为例，掺杂浓度越低，电离程度越高。

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载流子的主要散射机制

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迁移率和掺杂浓度和温度的关系

重掺杂情况下，两项都要考虑。

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室温下，掺杂浓度较低时，电离杂质散射忽略，可以认为迁移率基本不变。

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电阻率和掺杂浓度的关系

在轻掺杂情形下，迁移率弱依赖于掺杂浓度，电子浓度与掺杂浓度成正比，因此在对数坐标图上是一条直线；重掺杂情况下，迁移率减小，且不完全电离，电阻率比直线要大。

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电阻率与温度的关系

对于本征半导体，主要由本征载流子浓度决定，电阻率单调下降。

对于杂质半导体，载流子可以通过杂质电离和本征激发来获得，迁移率通过电离杂质散射和晶格散射影响。

AB段：温度较小，温度增大时，杂质电离增大，本征激发忽略（载流子数量增大），电离杂质散射减小，晶格振动散射忽略（迁移率增大）。

BC段：温度中等，电离杂质完全电离，本征激发次要（载流子数量不变），电离杂质散射次要，晶格振动散射增大（迁移率减小）。

CD段：温度高，电离杂质电离次要，本征激发增大（载流子数量增大），电离杂质散射次要，晶格振动散射次要（迁移率不变）。

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准费米能级的生成

准平衡的达成：

刚注入未达准平衡，数量不平衡，能量分布不平衡（电子经过热激发/光激发获得了能量）；
经过晶格弛豫时间，达到准平衡分布，这个时候数量不平衡，能量分布平衡，但是产生了新的电子准费米能级和空穴准费米能级，这时电子子系统和空穴子系统分别和晶格平衡；
然后经过复合达到热平衡。

主要影响了少子的准费米能级，多子的费米能级几乎不变。（小注入）

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载流子寿命和温度的关系

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pn结的平衡能带图和载流子浓度

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突变结的平衡电场和电势分布

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线性缓变结平衡的电场和电势分布

电场是二次函数，电势是三次函数。

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非平衡pn结的能带图和载流子密度

非平衡pn结的能带图和载流子密度。空穴准费米能级水平穿过耗尽区，在扩散区内慢慢和电子费米能级重合。

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pn结正向偏压下，四种电流的动态平衡

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简并pn结的能带图和Esaki二极管的导通特性

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肖特基接触和欧姆接触的能带图

对于n型半导体，金属费米能级在半导体之下是肖特基接触；金属费米能级在半导体之上是欧姆接触。

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表面态对肖特基势垒的影响

表面态：半导体表面处禁带中存在表面态，对应能级称为表面能级。当电子正好填满 $q\phi_0$ 以下的能级时，表面不带电；当 $q\phi_0$ 以下的能级空着时，表面带正电，呈现施主型；当 $q\phi_0$ 以上被电子填充时，表面带负电，呈现受主型。

对于n型半导体来说，半导体费米能级高于 $q\phi_0$ ，表面带负电，所以半导体表面区域会出现正电荷，成为正的空间电荷区，形成电子的势垒。于是能带向上弯，使表面处费米能级接近于 $q\phi_0$ ，势垒高度等于原来费米能级和 $q\phi_0$ 之差。这就是势垒高度被高表面态密度钉扎。

再与金属接触后，费米能级依然钉扎在 $q\phi_0$ 附近，所以这时肖特基势垒大小与金属的功函数无关。

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势垒电容扩散电容和平衡势垒高度的关系

pn结势垒电容：

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pn结扩散电容：

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肖特基势垒电容：

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金半接触的少子注入能带图和浓度梯度

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欧姆接触

金属-重掺杂半导体接触，电流是通过隧穿效应完成的。电流特性是线性的，正负对称。

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半导体表面层的五种基本状态

其中深耗尽时的电压范围和强反型一样，但并不是平衡状态，只是空间电荷层载流子的运动跟不上电压的变化（在内部是少子），在高频时有用。

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MIS电容结构的能带图

无外加电压时，理想情况下是平带；非理想情况下会有接触电势差。

有外加电压时，外加电压提供了一个外加场。

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MIS结构的C-V特性

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实际MIS结构C-V特性

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异质结的能带图

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两种载流子的霍尔效应

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