MOS管选型要素

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已于 2024-09-25 20:58:31 修改

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文章标签：嵌入式硬件 pcb工艺

于 2024-09-25 20:32:01 首次发布

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一、选择合适的封装

常见的MOS管封装有TO-220、TO-247、SMD（SOIC、TSSOP、MSOP）、DPAK、D2PAK、QFN、BGA等。

N沟道MOS管用途

开关电源：作为开关元件，在DC-DC转换器中实现高效能量转换。

电机驱动：在电机控制电路中用作低侧开关，控制电机的启停和方向。

信号放大：用于放大电信号的应用，如音频放大器。

功率放大：在射频和微波应用中，作为功率放大器。

P沟道MOS管用途

高侧开关：用于负载上游，控制电源的通断，广泛应用于电源管理电路。

电池保护：在电池管理系统中，用于防止过充或过放。

负载开关：在便携式设备中，用于控制负载的开启和关闭，延长电池寿命。

反向电压保护：在电源输入端防止反向接入。

RDS（ON）指的是导通状态下的漏极-源极电阻。一般在栅极驱动电压（Vgs）下测量，一般是10V或4.5V。Rds（on）的数值直接影响MOS管的工作效率和能耗。

首先，RDS(ON)会受到栅极驱动电压（Vgs）的影响，较高的驱动电压会使MOS管完全导通，使得Rds(ON)降到最低。如果驱动电压低于阈值电压，那么MOS管则完全无法导通，RDS（ON）会变得非常大。其次，温度也会影响阻抗的值，随着温度的增加，阻抗的值也会变大。

损失的功耗就用公式 P=I2×Rds(on)P = I^2 \times Rds(on)P=I2×Rds(on)来计算。

指的是在MOS管的源极和漏极之间所能承受的最大电压，当电压超过该值时可能会导致MOS管被不可逆的击穿，表现为漏极与源极之间出现低阻抗的通路，从而是电流变大，损坏其他的元器件。所以，在设计时MOS管的击穿电压应该高于电路的工作电压。

最大漏源电流指的是MOS管在正常工作的条件下所能承受的最大电流，超过此电流可能会损害MOS管。为了保证电路的正常工作，我们在选择MOS管的最大漏源电流必须高于电路的动作电流，还得留有一定的余量。一般来说，考虑到电流波动和瞬态大电流的影响，我们通常选择额定电流值的1.5倍或者更高的安全余量。

此外，温度也会影响最大漏源电流，温度升高，最大漏源电流可能会降低，但是在一般的情况下不用考虑温度这一情况。

开启电压是指MOS管栅极与源极之间施加的电压，使MOS管从关闭变为导通状态所需的最低电压，该电压会影响阻抗，从而影响到通过电路的电流。在实际设计时，我们应当确保Vgs能够超过VGS（th），并且加上一定的余量，确保获得低阻抗，进行高效的工作。

MOS管的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积。一般设计时，不用考虑这玩意。

在已经了解选型需要考虑到的基本参数之后，我们再来看看在实际的电路原理图中，我们如何选择增强型或耗尽型MOS管。

增强型MOS管在未施加栅极电压时处于关闭状态。通过在栅极与源极之间施加正电压（对于N沟道）或负电压（对于P沟道），形成一个导电通道，使得漏极与源极之间可以导通。此时，漏极电流（Id）开始增加，直至达到饱和状态。其主要特性包括：

耗尽型MOS管在零栅极电压时具有导电通道，因此在未施加电压的情况下依然能导电。施加负电压（对于N沟道）或正电压（对于P沟道）时，导电通道会被收缩，从而降低漏极电流，甚至完全关断。其主要特性包括：

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