D2104M是一款高压高电流半桥驱动器,专为高低边配置的功率MOSFET和IGBT设计。该芯片支持高达600V的工作电压,输出电流能力为±0.6A,适用于家电、工业驱动、电机控制和感应加热等应用。
主要特点
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高压支持:工作电压范围为8-20V,支持高达600V的浮动通道电压。
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高电流输出:输出电流能力为±0.6A,适用于中等功率应用。
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自举功能:浮动通道设计支持自举操作,简化高侧驱动电路。
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抗负压能力:具备负压瞬态电压抗扰能力,适合复杂电磁环境。
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欠压锁定保护:低侧和高侧电源均具备欠压保护功能。
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匹配延迟:高低侧通道的传播延迟匹配,确保系统稳定性。
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内置死区时间:减少上下桥臂直通的风险。
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关断功能:通过SD引脚可以同时关闭高低侧输出。
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关键参数
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工作温度范围:-40°C至+150°C。
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传播延迟:高侧开启延迟680-820ns,低侧关闭延迟150-220ns。
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死区时间:400-650ns。
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输出电流能力:高侧短路电流400mA,低侧短路电流600mA。
典型应用
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家电:如电机驱动和感应加热。
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工业应用:如高功率转换器和驱动器。
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大功率应用:如HVAC系统和工业驱动。
总结
D2104M凭借其600V的高压支持、高电流输出和抗负压能力,成为高低边驱动应用的理想选择。其匹配的传播延迟、内置死区时间和关断功能,确保了系统的可靠性和稳定性。设计人员可以根据实际需求,结合测量结果优化电路参数,以实现最佳性能。