【计组笔记】存储器

Resurgence03

已于 2024-09-26 23:42:11 修改

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文章标签：笔记

于 2024-09-26 21:05:53 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Resurgence03/article/details/142524884

版权

主存

按存储元件分类
- 半导体
- 磁性材料
- 光介质
存取方式
- 随机存取存储器RAM
  - 半导体存储器
  - 是否破坏性读取
    - 动态存储器DRAM
      - 用电容存bit信息
        破坏性读取
        读出时电荷释放，原信息丢失
        电荷会自然流失，需要定时刷新补充电荷
        集中刷新
        停止读写，逐行刷新
        分散刷新
        定时周期刷新
        异步刷新
        集中+分散
      - 快速分页组织
      - 一般用于低速大容量半导体存储器
        主存
    - 静态存储器SRAM
      - 用触发器存bit信息
        无需读后再生
        无需刷新
      - 一般用于高速小容量半导体存储器
        cache
    - DRAM SRAM
      存储信息电容触发器
      破坏性读出是否
      需要刷新是否
      送行列地址分两次送同时送
      访问速度慢快
      集成度高低
      发热量小大
      存储成本低高
- 顺序存取存储器SAM
  - 磁带
- 直接存取存储器DAM
  - 磁盘
- 按内容存取存储器CAM（相联存储器AM）
可更改性
- 可读可写存储器
- 只读存储器ROM
  - 随机存取
断电后信息的可保存性
- 非易失（不挥发）
  - ROM、磁表面存储器、光存储器
- 易失（挥发）
  - RAM、cache
存储器的层次结构
- 寄存器
- cache
- 主存
- 外存
- 一致性原则：不同层次存储器中，相同信息保持一致
- 包含性原则：内层信息含于外层信息

	DRAM	SRAM
存储信息	电容	触发器
破坏性读出	是	否
需要刷新	是	否
送行列地址	分两次送	同时送
访问速度	慢	快
集成度	高	低
发热量	小	大
存储成本	低	高

外部辅助存储

磁盘

为cache缺页而生

写入数据同时计算校验码一起写入

2×4×2000×3000×512B=24GB

2：1个盘片有2面

1转1/7200分=1/120秒

$\dfrac{1}{120}s\times 0.5 + 20ms + 0.5ms = 24.7ms$

RAID

RAID0

没有冗余
条带化
容量大速度高，可靠性低

RAID1

冗余备份，复制所有信息
- 无校验
读性能翻倍
写性能下降
- 并不是翻倍，可并行执行，由慢者决定
成本高，很可靠

RAID2

并行访问
- 驱动器间同步
工作单位为字（字节）
小条带分布交叉
使用海明校验冗余
- 校验盘与数据盘成正比
数据传输率高
- 大I/O快
I/O响应慢
- 小I/O快
开销过大，不再使用

RAID3

并行访问
小条带分布交叉
每个字计算1个校验位
只使用一个冗余盘
重构
数据传输率高
- 大I/O快
I/O响应慢
- 小I/O快

RAID4

独立访问
- 无需驱动器间同步
大数据块交叉
只使用一个冗余盘
重构
小I/O有写损失

RAID5

独立访问
大数据块交叉
将校验位循环均匀分布在所有驱动器上
I/O快
- 被广泛使用

RAID6

独立访问
大数据块交叉
将校验位循环均匀分布在所有驱动器上
双维块奇偶校验
- 允许双盘出错
- 高度可靠

RAID7

带cache的RAID

【2020-912】存储100MB的数据，RAID1的磁盘的大小为_____，RAID5的磁盘的大小为_____。

RAID1：直接复制备份，200MB

RAID5：4+1备份，125MB

（不说默认N=4，4+1备份）

【2022-912】一个4+1的RAID5磁盘组织，同一个地址在前四个磁盘中的数据分别为0x11、0x22、0x33、0x44，此时第五个磁盘出错，新磁盘替换后，新磁盘中该地址上的数据初始化为_____。

0x11=00010001

0x22=00100010

0x33=00110011

0x44=01000100

做异或操作得01000100=0x44

Flash闪存

高密度非易失性读写存储器
电擦除可编程ROM替代品，可存储BIOS
- 编程：充电
- 擦除：放电
- 读取
存储元件为MOS管

SSD固态硬盘

存储介质为闪存颗粒
数据按页进行读取
- 闪存芯片-区块-页
对某页写前，必须擦除该页所属的整个区块
- 写入时按顺序写入
只有有限的读写次数
闪存翻译层FTL
- 将逻辑磁盘块映射为物理存储块
- 均化磨损电路
  - 将擦除操作平均分布，延长使用寿命

【2023-912】下列关于闪存及FTL（Flash Translation Layer）的说法,错误的是（B）

A.闪存的写入端粒度和擦除端粒度不同

B.闪存每单元能编码的比特数越多，闪存的寿命越长

C.FTL提供逻辑块地址到物理块地址的映射

D.闪存物理页在更新之前要进行擦除

数据校验

码距：两个合法二进制码之间最少不同位数量

码距为1，即任何两个二进制码间最少有1位不同，平凡情况，无校验能力，检错位数为0
码距为2，检错位数为1
（纠错理论）
- L为码距
- D为检错位数
- C为纠错位数

奇偶校验

用于并行传输

在数据位以外增加1位校验位，使得总共1的数量为奇数或偶数

码距为2
检错位数为1
纠错位数为0

海明Hamming校验

用于并行传输

含总校验位
- 码距为4
- 检错位数为2
- 纠错位数为1
不含总校验位
- 码距为3
- 检错位数为1
- 纠错位数为1

利用排列组合直接计算即可。

【2017-912】若海明码P1P2D1P3D2D3P4为0101100，则该海明码有__位错误（0位，1位，2位），正确的D1D2D3为______。

（海明码要是能纠错，只能错1位）

P1：D1，D2

P2：D1，D3

P3：D2，D3

P4：D1，D2，D3

S1=P1⊕D1⊕D2=1

S2=P2⊕D1⊕D3=1

S3=P3⊕D2⊕D3=0

S4=P4⊕P3⊕P2⊕P1⊕D3⊕D2⊕D1=1

错了1位，S4S3S2S1=1011，在只错1位的情形下错误在S1S2交集中，是D1，D1D2D3=110

（也可011B=3，是数据第3位D1）

循环冗余校验CRC

用于串行传输

Cache

程序的局部性原理

行
块
- 一行有多长
有效位：标记该行是否被占用中
命中
- 命中率Hit Rate
  - HR=命中次数/访问次数
  - 影响因素
    - 容量
      - 命中率-容量为不足对数函数
      - cache超过32kB后，整体性能不会显著提高
    - cache块大小
      - cache块太小，容易局部性受限
      - cache块太大
        cache总行数会变小
        单次装填成本增大
- 命中时间=访问cache块时间
缺失
- 缺失率Miss Rate
  - MR=1-HR
- 缺失损失=替换cache块时间+传输给CPU的时间
- 原因
  - 必然缺失
    - 第一次访问或刚开机
  - 容量缺失
    - cache容量不够
  - 冲突缺失
    - 两块不同的内存块映射到相同的cache块
    - 直接映射最明显（利用率低）
  - 无效缺失
平均访问时间=HR×命中时间+MR×缺失损失
- 缺失率低未必平均访问更低
  - 块更大意味着需要更多时间去装填数据块
  - 应当追求使得平均访问时间最低的块大小，而非缺失率最低