MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC

最新推荐文章于 2024-06-21 23:15:46 发布
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分类专栏： 开关电源 二极管 半导体 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
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编辑：ll

MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC

型号：MURF10100AC

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大平均正向电流：10A

最大重复峰值反向电压：1000V

产品引线数量：3

产品内部芯片个数：2

产品内部芯片尺寸：84MIL

峰值正向漏电流：<10ua

恢复时间：35ns

浪涌电流：150A

芯片材质：

最大正向电压：1.90V

工作结温：-55℃~150℃

包装方式：500/箱

MURF10100AC-ASEMI小耳机二极管的电性参数：正向电流10A；反向电压1000V

MURF10100AC肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

SUNNYSPY001
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MURF860AC-ASEMI快恢复二极管MURF860AC
qyx3868的博客
09-01 177
编辑-Z MURF860AC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是70MIL，是一款快恢复二极管。MURF860AC的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF860AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MURF860AC的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，其中有2条引线。 MURF860AC参数描述 型号：MURF860AC 封装：ITO-220AC 特性：快
MURF1040CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1040CT
qyx3868的博客
09-17 811
编辑-Z MURF1040CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。MURF1040CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF1040CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MURF1040CT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为400V，正向电压(VF)为1.3V，其中有3条引线。 MURF1040CT参数描述 型号：MURF1040CT 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复
MURF1640CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1640CT
qyx3868的博客
09-03 257
编辑-Z MURF1640CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。MURF1640CT的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。MURF1640CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MURF1640CT的电性参数是：正向电流(Io)为16A，反向耐压为400V，正向电压(VF)为1.3V，其中有3条引线。 MURF1640CT参数描述 型号：MURF1640CT 封装：ITO-220
为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好
qyx3868的博客
09-03 1672
编辑-Z 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般采用反向恢复时间短的MURF1040CT整流二极管。常用的有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基势垒二极管。那为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好？ MURF1040CT参数描述 型号：MURF1040CT 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：10A 400V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电
MURF1040CT-ASEMI快恢复二极管MURF1040CT
04-12 129
MURF1040CT-ASEMI快恢复二极管MURF1040CT
MURF1640CT-ASEMI快恢复二极管MURF1640CT
04-12 402
MURF1640CT-ASEMI快恢复二极管MURF1640CT
MUR1060AC-ASEMI快恢复二极管MUR1060AC
qyx3868的博客
04-18 1371
编辑-Z MUR1060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR1060AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1060AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1060AC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为35NS，其中有2条引线。 MUR1060AC参数描述 型号：MUR1060AC
ASEMI快恢复二极管MURF860AC参数特征
qyx3868的博客
09-15 338
编辑-Z MURF860AC参数描述 型号：MURF860AC 封装：ITO-220AC 特性：快恢复二极管 电性参数：8A600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：8A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.5V 芯片尺寸：70MIL 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：35 ns 引线数量：2 MURF860AC的电性参数：正向平均电流8A；反向峰值电压600V MURF860AC的包装方式
MBR20300FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20300FCT
qyx3868的博客
05-27 199
编辑-Z MBR20300FCT在TO-220F封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR20300FCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为0.1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR20300FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20300FCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为300V，正向电压(VF)为0.76V，其中有3条引线。 MBR20300FCT参数描述 型号：MBR20300FCT 封装：TO-22.
MURF1660CTG的技术参数
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砌体香草此主题将“砌体.../* OPTIONAL 1 - Some additional options on top of Vanilla that Murf uses */@import url('https://gitmurf.github.io/masonry-vanilla/masonry-optional-1.css');/* OPTIONAL 2 - More cu
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