MUR2060CT-ASEMI快恢复二极管MUR2060CT

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MUR2060CT-ASEMI快恢复二极管MUR2060CT

型号:MUR2060CT

品牌:ASEMI

封装:TO-220AB

安装方式:插件

批号:最新

恢复时间:35ns

最大平均正向电流(IF):20A

最大循环峰值反向电压(VRRM):600V

最大正向电压(VF):0.95V~1.90V

工作温度:-50°C~150°C

芯片个数:2

芯片尺寸:mil

正向浪涌电流(IFMS):200A

MUR2060CT特性:

低正向压降

低功率损耗

高效高浪涌能力

内置应变缓解

参数一致

性能稳定

MUR2060CT应用领域:

无人机

AI智能

逆变器

逆变箱

储能专用

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首先,我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件,用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形,其中一个边界面(假设为x方向)的位置为x=0,我们需要将这个边界面视为吸收边界,即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到: 1. 首先,我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向,垂直于边界面的电磁场(假设为Ey)和平行于边界面的电磁场(假设为Ez)。 2. 然后,我们需要在边界面上引入一个虚拟面(假设为x=-dx/2),在这个虚拟面上,我们需要将垂直于边界面的电磁场(Ey)反射回来。 3. 接下来,我们需要在虚拟面上引入一个反射系数(假设为R1),用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后,我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面(假设为x=-dx),在这个虚拟面上,我们需要将平行于边界面的电磁场(Ez)反射回来。 5. 同样地,我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数(假设为R2),用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后,我们需要对边界面上的电磁场进行修正,使得边界面上的电磁波在经过反射之后,相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程,我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。
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