TMR磁传感器技术注释 | 自旋电子学(磁电子学)

法国的Albert Fert与德国的Peter Grtinberg因在纳米多层膜的磁性结构中发现巨磁电阻效应(GMR)而荣获2007年度的诺贝尔物理学奖，电子具有电荷与自旋2个自由度，在传统的电子学中，仅仅是电荷被电场调控，称之为电荷为基的电子学，而GMR效应的发现开拓了有效地控制自旋制备新颖电子器件的基础，自旋电子学可定义为以自旋为基的电子学，其中自旋在器件中起着核心的作用。目前。自旋电子学效应已呈现出丰富多彩的重要的技术上的应用，自旋电子学是十分重要的具有战略意义的研究领域，列入发达国家重点支持的计划中。从物理学的观点来看，过去的世纪属于“电荷”的世纪，那么未来的世纪可能属于“自旋”的世纪。

微电子工业的兴起奠定了第三次产业革命的基础，但目前的发展遇到功耗增大、制造成本增加的局限，最终，现存模式的微电子工业的发展将受到量子效应的限制而寿终，20世纪80年代发现的巨磁电阻（GMR）效应，其本质反映了电子的输运性质与电子自旋的取向有关，如在输运过程中除利用电子的电荷属性外，同时利用电子自旋属性，信息的传输、运算与存储可在固体内部有机地结合在一起，从而有利于器件高度集成化、能耗降低、运算速度提高。因此利用电子自旋属性，发展自旋器件，必将成为新世纪信息工业革命性的研发方向。巨磁电阻(GMR)效应和隧穿磁电阻效应(TMR)读出磁头的应用迅速提高了硬盘记录密度，同时，近10年研发磁性随机存储器(MRAM)也成为发达国家竞争的主战场。此外，将自旋极化的电子注入到半导体器件中，形成半导体自旋电子学新学科。

2007年诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻效应的发明者：法国的A．Fert教授与德国的P．Grtinberg教授，以表彰他们对凝聚态物理与信息技术的发展所做出的杰出贡献，同时诺贝尔奖评选委员