MOS管和三极管的工作原理对比

1、符号

（1）MOS管三个极为栅极-G、源极-S、漏极-D。MOS管利用栅极电压来控制源极和漏极的导通情况

（2）三极管三个极分为基极-b、集电极-c、发射极-e。三极管主要是靠Ib电流来控制Ic电流的大小

2、截至区

（1）MOS管的栅极电压小于阈值电压时，不导通

（2）三极管的偏压小于阈值电压时，不导通

3、线性区

（1）MOS管在栅极加正偏压，会在其下感应出相反极性的负电荷，从而产生N型沟道，使源极和漏极导通。如果不考虑源漏电压影响，则栅压高一点，产生的沟道就宽一点，导通能力就大一点，这就是线性区。

（2）三极管BE结加正向偏置导通，电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外，它们有两个地方可以去：一个是从基极流出，一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高，能收集到的电子就会越多，这也是线性变化的。

4、饱和区

（1）NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区；

（2）NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。

5、电流电压曲线

在线性区，随着电压升高，源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高，电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致