1200V驱动IC,IGBT,SiC驱动IC解决方案

最新推荐文章于 2024-07-02 14:45:13 发布
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分类专栏： IGBT 文章标签： 能源
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  • 产品介绍BF1181是一款电隔离单通道栅极驱动芯片，用于驱动1200V的功率器件。同时具有优异的动态性能和工作稳定性，并集成了多种功能，如故障报警，有源密勒钳位，主次级欠压保护等。BF1181还集成了模拟电平检测功能，可用于实现温度或电压的检测，并提高芯片的通用性，进一步简化系统设计，如尺寸与成本等。
    产品特点兼容1200V1GBT8SiC·满足4500VRMS60s脉冲绝缘要求●集成去饱和保护与主次级欠压保护驱动电流8AMAX·满足-40℃~125C环境运行温度范围集成密勒钳位、软关断功能可通过RDY发出就绪信号，/FLT发出故障报警
  • 应用领域: EV/HEVI电源模块、工业电机控制驱动、工业电源、太阳能逆变器
  • 产品型号 封装形式 去饱和保护阈值 次级欠压保护 次级欠压恢复 CMTI 驱动外拉电流 驱动内灌电流
  • BF1181 S01C16 9V 11V 12V>100V/ns 8A 8A

 

 

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IGBT功率半导体器件
吴建明wujianming_110117
04-17 5048
IGBT功率半导体器件 IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT 作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。 　　IGBT 的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，其应用领域极其广泛。 　　碳化硅具有较高的能量转换效率，不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍，相同规
使用 SiC MOSFET：挑战与设计建议---凯利讯半导体
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12-12 7362
对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。 　　对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对
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SIC MOSFET的驱动IC设计
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帮助设计SIC MOSFET产品的驱动电路，完整的评估板设计线路，满足客户的参考设计以及系统平台的评估
2ED020I12-FI_1200 V半桥栅极驱动器IC，具有电气隔离、比较器和 OPAMP_科时进商城
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02-28 355
​ 特征描述 1200 V 无芯变压器隔离驱动器 IC 轨到轨输出 保护功能 浮动高边驱动 双通道欠压锁定 3 V 和 5 V TTL 兼容输入 优势 节省空间的封装 改善效能 潜在应用 电机控制和驱动 太阳能系统解决方案 商用、工程和农用车辆(CAV) 不间断电源(UPS) 应用领域 不间断电源（UPS） 电机控制和驱动 商用、建筑和农用车辆 (CAV)
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案
VBsemi的博客
01-17 1223
新推出的SiC MOSFET产品，就具备非常低的开关损耗和传导损耗， 低损耗特性得以实现，得益于相对平稳的RDS（通态电阻）与温度之间的依赖关系。2. 当SiC MOSFET应用于桥式电路时，在某一开关管的开关瞬态下，另一开关管的栅源极电压，可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。，SiC MOSFET驱动方案备受关注。特别是，抑制寄生电容引发的门极误开通，增强了器件的稳健性，不仅对降低开关损耗有益，同时也提高了产品的易用性。在这种情况下，由于快速经过 器件的电流过大，SiC MOSFET承受时间相对较短，
IGBT各类驱动芯片
08-19
相当齐全的IGBT驱动，希望对各位有用 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点，应用于不同的场合，也有一定的局限性.....
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07-24
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09-14
IGBT的正确选择和使用doc,本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合适额定电压，额定电流和开关参数。以及优化设计栅电压，克服Miller效应的影响，确保在IGBT应用过程中的可靠性。
中芯集成：国产车规级代工领袖，碳化硅功率IC扩产引领未来
“中芯集成-U（688469）是国产车规级代工的领军企业，致力于功率、MEMS和射频领域的芯片制造，提供一体化解决方案。公司在新能源汽车、风光储、高端消费等领域有广泛应用。报告指出，2022至2025年，公司预计实现营业...
一些IGBT驱动芯片对比
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对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点，应用于不同的场合，也有一定的局限性： 1）IR2110具有自举能力，可以在驱动桥式电路时使用一组电源，但芯片与主电路的高压直接相连，安全性较差[3]； 2）EXB841集成度较高，但针对不同开关...
IGBT（功率半导体）器件选型和应用
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栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。二相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
浅谈SiC MOSFET之驱动电阻设计
weixin_58670090的博客
05-14 700
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电阻，通常称为栅极驱动电阻，是连接在MOSFET的栅极和驱动电路之间的电阻。外部栅极驱动电阻器在限制栅极驱动路径中的噪声和振 铃方面发挥着至关重要的作用。如果没有尺寸合适的栅极电阻器，寄生电感和电容、高 dv/dt 和 di/dt 以及体二极管反向恢复可能导致不良行为。输入电容 CISS (CGD + CGS) 和 源极电感 LS 之间原本非常高的 Q 谐振可通过回路的串联电阻分量 RG (RG = RHI 或 LO+RGATE+RG,I) 进行衰减。
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