浅谈SiC MOSFET之驱动电阻设计

        MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电阻，通常称为栅极驱动电阻，是连接在MOSFET的栅极和驱动电路之间的电阻。

        外部栅极驱动电阻器在限制栅极驱动路径中的噪声和振 铃方面发挥着至关重要的作用。如果没有尺寸合适的栅极电阻器，寄生电感和电容、高 dv/dt 和 di/dt 以及体二极管反向恢复可能导致不良行为。

        输入电容 CISS (CGD + CGS) 和 源极电感 LS 之间原本非常高的 Q 谐振可通过回路的串联电阻分量 RG (RG = RHI 或 LO+RGATE+RG,I) 进行衰减。 

等效电路

         选择一个可使设计的品质因数 Q 介于 0.5（临界阻尼） 到 1（欠阻尼）之间的栅极电阻器。如果品质因数大于 0.5，则可以根据需要加快开通和关闭速度。

可以先了解一下振铃

        使用的振 铃频率 fR。MOSFET 或 IGBT 数据表提供了输入电容 CISS，利用该值可