硬件相关基础知识3（DDR3基本知识）

DDR3 基本知识

一、DDR3 简介

DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access
memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3 在 DDR2
的基础上继承发展而来，其数据传输速度为 DDR2 的两倍。同时，DDR3 标准可以使
单颗内存芯片的容量更为扩大，达到 512Mb 至 8Gb，从而使采用 DDR3 芯片的内存条
容量扩大到最高 16GB。此外，DDR3 的工作电压降低为 1.5V，比采用 1.8V 的 DDR2
省电 30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工
艺的提升，90nm 甚至更先进的 45nm 制造工艺使得同样功能的 MOS 管可以制造的更

小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。

DDR3 的发展实在不能说是顺利，虽然在 2005 年就已经有最初的标准发布并
于 2007 年应用于 Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样
很快替代 DDR2，这中间还经历了对 SDRAM 业界影响深远的金融危机，不但使 DDR3
占领市场的速度更加减慢， 还使 DDR3 在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇
梦达倒闭，实在是让人惋惜。虽然如此，DDR3 现今是并行 SDRAM 家族中速度最快的
成熟标准，JEDEC 标准规定的 DDR3 最高速度可达 1600MT/s（注，1MT/s 即为每秒钟
一百万次传输）。 不仅如此， 内存厂商还可以生产速度高于 JEDEC 标准的 DDR3 产品，

如速度为 2000MT/s 的 DDR3 产品，甚至有报道称其最高速度可高达 2500MT/s。

二、DDR 存储器特性

1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据
DDR 存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取
数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高 1 倍。例如，在 DDR200 器件中，数据传

输频率为 200 MHz，而总线速度则为 100 MHz。

2) 工作电压低
DDR1、DDR2 和 DDR3 存储器的电压分别为 2.5、1.8 和 1.5V，因此与采