MOSFET场效应管栅极驱动电流的计算

MOSFET驱动

MOSFET场效应管是电压驱动器件，输入有电容，因此为可靠驱动MOSFET，栅极需要施加较大的驱动电流。

功率MOSFET开关模型

该模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。

图1

MOSFET开通过程

MOSFET场效应管的开通动作可分为如下图所示的4个阶段。

图2
第一阶段，器件的输入电容从0V充电至VTH。在此期间，大部分栅极电流用于对CGS电容器充电。少量电流也会流经CGD电容器。随着栅极电压升高，CGD电容器的电压将略有下降。这个期间称为开通延时，因为器件的漏极电流和漏极电压保持不变。
栅极充电至阀值电平后，MOSFET就能载流了。
第二阶段，栅极电平从VTH升高到米勒平坦电平VGS,Miller。当电流与栅极电压成正比时，这是器件的线性工作区。在栅极侧，就像在第一阶段中那样，电流流入CGS和CGD电容器中，并且VGS电压升高。在器件的输出端，漏极电流升高，同时漏源电压保持之前的电平 (VDS,off)。在所有电流传输到 MOSFET 中并且二极管完全关断能够阻止其 PN 结上的反向电压之前，漏极电压必须保持输出电压电平。
第三阶段&#