Boost变流器门极驱动电路的 EMI发射及抑制

1 引言

EMI 问题对于现代电力电子装置的重要性日渐凸显，因为它会影响到系统的可靠性和精确性。功率变流器的传导电磁干扰噪声还可能通过公共电网进入到其他电子电路中，从而干扰其他电子设备的正常工作。功率变流器运行时功率 MOSFET 和功率二极管的开关切换动作是电磁干扰噪声的主要来源，因此对开关信号的电磁干扰噪声发射特点的研究非常重要。
Boost 变 流 器 广 泛 应 用 于 功 率 因 数 调 节 器（PFC），由于它直接与电网连接，带来了大量的电磁干扰问题，并吸引了很多与 EMI 特性相关的研究，这包括电磁干扰噪声的产生机制和抑制方法的研究，例如，很多文献在分析功率变流器电磁干扰噪声的产生机制时，主要关注MOSFET 的漏极与源极之间的电压 VDS，并认为它是最主要的 EMI 噪声源。事实上，MOSFET 驱动信号对 EMI 发射也有很大的影响。众所周知，可
以通过控制门极信号，减缓 MOSFET 的 VDS 的上升/下降过程，从而抑制 EMI。但是驱动电路本身对EMI 发射的贡献也不容忽视。

本文的主要目的就是去探寻由 Boost 变流器驱动信号引起的 EMI 产生机理，并设法降低由此带来的 EMI 发射。本文首先通过实验测试，将 Boost变流器门极电路产生的 EMI 与整机的 EMI 分离，以便检定门极电路自身会带来多大的干扰水平。论文还分析了门极驱动电压信号过冲的形成原理以及由此引起的 EMI 问题，提出了通过消除门极驱动信号电压过冲的方法来抑制过度的 EMI 发射。论文最后通过实验测试对所提出的方法进行了验证。

2 驱动电路的 EMI 噪声

图 1 是 Boost 变流器和线性阻抗稳定网络（LISN）相连的拓扑结构。EMI 噪声可以通过这种连接方式测得。为了分析测量 Boost 变流器的 EMI特性，包括驱动电路的 EMI 噪声，制作了一台驱动信号为固定占空比 40%，脉冲频率为 70kHz 的 Boost变流器样机。主电路输入是 220V 交流电，样机的负载是 2kΩ电阻。样机控制单元是通过 15V 线性直流电源供电，该直流电源与交流电源是完全分开的。如果 Boost 变流器样机主电路交流输入电压为 0 时，门极驱动电路仍然可以输出驱动脉冲，尽管 VDS 基本为 0，它不会产生 EMI 噪声，但是门极驱动信号若包含 EMI 噪声，这些 EMI 噪声会通过样机的线路和元器件寄生参数耦合至 LISN，因此可以通过这种方式单独研究驱动电路的 EMI 特性。

图 1 Boost 变流器和 LISN
Fig.1 Boost converter connected with LISN

为了比较 Boost 变流器的功率 MOSFET 门极驱动电路产生的 EMI 与整机 EMI 的大小，分别测量了样机主电路供电分别是 0V 和 220V 交流电时的EMI 噪声频谱，测量结果如图 2 所示。 Boost 变流器样机主电路交流输入为 220V 时的EMI 噪声是由主电路和控制电路的门极驱动信号共同产生的，而主电路交流输入为 0V 时的 EMI 噪声只是由驱动电路产生的。从图 2 可以看出，当主电路的输入从 220V 切换到 0V 时，EMI 发射水平只是在大约 10～30MHz 频率内有较大的下降，而在10MHz 以下频段基本保持不变。这就表明，门极驱动电路也是一个重要的 EMI 噪声源。同时需要指出的是，在该实验中，10～30MHz 之间的 EMI 噪声主要是由 Boost 主电路贡献的，而驱动电路对这一频段的噪声贡献是相当小的。接下来，将分析门极驱动电路 EMI 噪声的产生原因。

图 2 样机主电路有交流供电和

无交流供电时的 EMI 特性
Fig.2 Measured EMI emissions corresponding to with and
without AC input for main circuit of the prototype

3 噪声产生机理

为了揭示门极驱动电路产生 EMI 噪声的机制，测量了驱动电压波形，即 MOSFET 门极与源极之间的电压波形。测量结果如图 3 所示，可以看出在驱动电压的上升沿存在过冲。驱动电压波形在由低电平向高电平跳变时经常会引起过冲，这种过冲是有害的，因为它不但会增加电压应力与振铃效应，而且会给整个系统带来 EMI 噪声。下面进一步对过冲的形成机理进行探究。

图 3 MOSFET 驱动电压波形
Fig.3 MOSFET drive voltage

如果拆除样机上的 MOSFET 器件，再测试驱动信号波形，发现过冲也随之消失，可以推测驱动信号的过冲是由 MOSFET 器件的门极与源极之间的电容 Cgs 与驱动电路的振荡引起。把 MOSFET 从样机上拆除，然后在其门极与源极在样机 PCB 上对应的两个焊盘上接上一个与 Cgs 相同数量级的电容，驱动信号再次出现过冲，这验证了这种推测是正确的。据此建立了门极驱动电路的等效模型，如图 4所示。在图 4 中，V1 表示 15V 的直流源，L1 和 L2表示连接直流电源和控制芯片的导线的寄生电感，R1 和 R3 是其寄生电阻，R2 表示门极信号线的电阻，M2 和 M3 组成了驱动电压的推挽输出电路，V3 是控制信号，C3 代表了 MOSFET 的门极与源极之间的电容 Cgs。

图 4 门极驱动等效电路
Fig.4 Equivalent circuit of drive output

V3 的开通关断分别对应于两种状态。当 V3 处于高电平时，M2 由断开到闭合，相应的等效电路如图 5a 所示；当 V3 处于低电平时，M3 由断开到闭合，相应的等效电路如图 5b 所示。V3 开通关断对应两个过渡过程，这两个过渡过程分别可以用图 5 描述。

（a）V3 升为高电平 （b）V3 降为低电平

图 5 V3 为高电平和低电平时的等效电路
Fig.5 Equivalent circuit when V3 switch up or down
在图 5b 中，当开关开启，这只是一个门极电容简单的放电过程，不会产生过冲。而在图 5a 中，由于电容、电感和电阻是串联连接的，再利用拉普拉斯变换，一个简化等效的电路如图 6 所示。

图 6 驱动信号升为高电平时的等效电路
Fig.6 Equivalent circuit when the drive goes high

驱动电压的表达式可以从图 6 中推导，有

根据式（2），通过拉普拉斯逆变换，可以得到
驱动电压的时域表达式为

驱动电压就会形成振荡，从而引起过冲。

通过上述分析可以看出，当门极驱动电压从低电平上升到高电平时，很有可能产生一个过冲；当驱动电压从高电平降为低电平时，不可能存在反向过冲。

为了验证上述分析，对驱动电路进行仿真。通过 阻 抗 测 量 提 取 样 机 的 寄 生 参 数 后 ， 实 际 用 于Pspice 仿真的电路如图 7 所示。

图 7 Pspice 中的驱动电路仿真模型
Fig.7 Simulation model of drive circuit in Pspice

图 8 给出了所得到的仿真驱动电压波形。从图 8 可知，仿真波形的上升沿存在一个过冲，而下降沿无过冲，这和图 3 的实际测量波形符合得很好。

图 8 驱动波形的仿真结果
Fig.8 Simulated result of drive voltage

驱动电压的过冲对 EMI 发射有显著影响，因此认为它是 Boost 变流器的一个严重 EMI 噪声源。与此同时，驱动信号是一种梯形波，具有很陡的上升沿和下降沿，含有丰富的高次谐波，对整体驱动电路的 EMI 发射也有很大的作用。本文主要关注驱动电压的过冲引起的 EMI 噪声，下文提出了一种消除驱动电压过冲的方法，从而减少 EMI发射。

4 EMI 噪声的抑制

现在，通过消除驱动电压的过冲来减少 Boost变流器驱动电路的 EMI 噪声。从上一节的讨论不难看出，当改变电路的参数使式（6）的关系不再满足时，过冲将不再出现。一个简单有效的方法是在样机的 PCB 控制芯片直流电源的供电端之间增加一个相对较大的电容（此处为 4.7μF），在电路模型上此电容与图 7 的 C5 并联。这个电容的存在增加了式（6）中 C 的值，使得 R＞ 2 L /C ，这样振荡得以消除。在增加了这个较大的电容 C 以后，也进行了仿真和电路实验，以便检测门极驱动电路的驱动电压波形。图 9 和图 10 给出了仿真结果与实验结果的对比。
图 9 加电容后驱动波形的仿真结果
Fig.9 Simulated MOSFET drive waveform
after adding a capacitor

图 10 加电容后的 MOSFET 驱动波形
Fig.10 Measured MOSFET drive waveform
after adding a capacitor

通过比较仿真与电路实验结果，两组结果中均不再存在电压过冲，这说明所接入的电容对消除驱动电压过冲是有效的。再次在样机主电路输入电压为 0V 的情况下，测试门极驱动电路的 EMI 发射情况，进而考察消除驱动电压过冲对 EMI 频谱的影响。图 11 给出了 EMI 测试结果，从图中可以发现当接入这个 4.7μF 的电容后，驱动电路的 EMI 性能有了相当大的改善，1MHz 与 10MHz 之间的频谱幅度有明显地减少。

图 11 交流输入 0V，有无电容时的
EMI 发射水平比较
Fig.11 EMI spectrum comparison between with and
without capacitor when AC input is 0V for main circuit

通过在驱动电路控制芯片的直流电源连接端口接入 4.7μF 的电容可以消除驱动电压的过冲，从而减小了门极控制电路的 EMI发射，那么这对于 Boost变流器整机的 EMI 噪声抑制也会有效果。为了对此进行验证，测量了样机主电路交流输入电压为 220V时的 EMI 频谱，并与此前未接电容时的测试结果对比，两种情况下的 EMI 测试结果如图 12 所示。
从图 12 的对比可以看出，接入 4.7μF 的电容消除驱动电压过冲后 Boost 变流器整机的 EMI 频谱幅度在 1MHz 与 10MHz 之间有很大的下降，这个频段与图 2 所示的门极驱动电路产生的 EMI 频谱分布范围是相同的。因此，通过消除驱动电压过冲可以
抑制门极驱动电路产生的 EMI噪声，从而降低 Boost变流器的 EMI 噪声发射。

图 12 交流输入 220V，有无电容时的
EMI 发射水平比较
Fig.12 EMI spectrum comparison between with and
without capacitor when AC input is 220V for main circuit

5 结论

在 Boost 变流器中，开关管门极驱动电路对整体 EMI 发射贡献很大，并且 MOSFET 驱动电压的过冲是一个重要的 EMI 噪声源。MOSFET 驱动电压过冲是由驱动电路中的 RLC 振荡产生。论文提出了通过接入电容的方法来消除振荡，从而消除驱动电压的过冲。由于所接入的电容是并联在驱动电路的直流电源两端，该电容对 VDS 不会带来影响。消除MOSFET 驱动电压的过冲后，驱动电路产生的 EMI噪声减小了，而且 Boost 变流器整机的 EMI 性能也得到了改善。不难推断，驱动电压的过冲也是其他变流器的 EMI 噪声源，文中提出的方法同样适用于其他变流器的 EMI 抑制。