对策EMI传导的基本概念

对策EMI传导的基本概念

1.1 差模(Differential mode)信号与共模(Common mode)信号

传导量测接法如图5、图6所示，是由接收器量测L/N/GND之间的频率与振幅大小而成，而信号存在于L与N之间的叫差模信号，如图5所示；而信号存在于L与FG或N与FG之间的叫共模信号，如图6所示，也可以说与FG形成回路的就叫共模信号。
一般电源的输入来源皆是取自L与N，因此在电源的电磁干扰设计中，差模成份的抑制极为重要，尤其是前频段150K~1MHz大多是由开关电源的主频与倍频出来的差模干扰。

图5

图6
图7为一未对策前的传导测试结果，前端为IC的操作频率所引起的倍频差模干扰加上本体的共模干扰所形成，由图形可看出每根峰值之间的频率为100KHz，可判断此IC的操作频率为100KHz，而测量的读值是呈现由IC 100KHz的倍频做线性衰减，因此每100KHz就有一根因IC操作频率所造成的差模干扰信号，也可以说在前频段时，共模信号呈线性平面下降，而差模信号则迭加在共模的上方。

图7
图8为相同的机台在对策后测试结果，在对策后最差都还有6dB以上的余度，已可符合多数的客户要求。
一般在测试时，必需测试L与N两项，一般L与N的读值不会差异太大，若差异很大一般都是某项的共模能量较强所致。
测试的输入电压则是看申请的安规来决定，一般是用110V与230V来做高低压量测；另外，产品在确认传导测试时皆需要做长时间的烧机，有时会因烧机后磁性组件过热导致感量异常而让EMI变差。

图8

1.2 电磁干扰，电场干扰与磁场干扰

电磁干扰(EMI, Electrical Magnetic Interference)可分为电场干扰与磁场干扰两种，电场与磁场是两种不同的性质，但两者之间的能量是会互相影响的，随时间变化的电场会产生磁场，而随时间变化的磁场也会产生电场，这些不断同相振荡的电场和磁场共同的形成了电磁干扰(电磁波)。
一般对于电场，我们可以用下面的电荷公式与电容公式来作解释，

简单来说，任何的导体在电场下都可等效成一个带电的电容，其容值随着与周边另一个导体之间的距离／表面积／介质不同而有差异；如图9为两导体之间的电容图示，绿色导体与蓝色导体所等效的电容如图10所示，根据电容公式，容值会因两导体之间的距离愈远而变小，也会因两导体之间的截面积愈大而增大，而两导体之间的介质(介电系数)也会影响容值的大小。

图9

图10
当电容二端的电位在时间之内存在一电压差时，则会根据电荷公式(电压／时间的变化，如图12)而产生一电流，如图11红色箭头所示，而任何产生的电流必需经由另一路径回到自己出发时的位置而形成一电流回路，如棕色虚线箭头所示，此因电压变动造成的电流回路就会引起电场干扰。

图11

图12
因此，改善电场干扰的方式，就是减少其回路电流的方法，根据上面两个公式，我们可以藉由将耦合电容减小，像是减少两个导体之间接触的面积／增加其距离／变更中间的介质等方式来减少电容效应，或是减小电压差或时间变化率来减少电场感应。
而对于磁场，我们可用安培右手／法拉第定律(
)来解释，当导体有电流流过时，在其周围就会依安培右手定律产生磁力线，如图13所示，因电流不可能单独存在，电流一定存在于回路之中，凡是电流流过的路径都会产生磁力线，而在一般的PCB板设计中(如图14所示)，当电容形成一个电流回路时就会产生如虚线的磁力线，而磁力线经过的导体会因此产生感应电势，此即为磁场干扰。

图13

图14
尤其是电流流经的导体在没有闭合回路的铁心时，因磁力线无法经由高导磁材料做回路，磁力线会经由外部空气做回路而让周围产生磁场(漏磁通)，图15所示为一般变压器的磁力线，大多数的磁力线皆会经由高导磁材料(铁心)，但在中间有气隙的地方就会有许多漏磁通产生(如图16虚线所示)，而也有少部份漏磁通会经过与变压器垂直的地方，因此若有组件在变压器的正上方或下方，是很容易被此漏磁通干扰的。

图15

图16
因此，改善磁场干扰的方式，包括两部份，一是减少磁力线的能量，包括改变电流振幅／时间变化率等，另一是减少磁力线的影响，包括缩小电流回路，拉开两者之间的距离，导体面积等方法。
电场耦合效应如图17所示，在PCB板上有两导体时会有一等效电容效应，而当左端的布线有一时变电压产生时，其右边的导体会因电场耦合效应而产生一耦合电流，此耦合电流即是因电场效应所产生的电场干扰。
磁场耦合效应如图18所示，在PCB板上有两导体回路时，当左边的回路有一时变电流产生，其右边的回路也会因磁场耦合效应而产生一耦合电压(感应电势)，此电压即是因磁场效应所产生的磁场干扰。

图17

图18
产生电场干扰的原因，在于带电体的电荷重新分布，因电荷改变后会让电容两端的电压改变而不断的充放电。产生磁场干扰的原因，在于流过导体的电流在不断改变，即电流产生的磁力线会使周围导体感应出电动势，告成磁场干扰。
电场与磁场的干扰起源于快速的能量(电压／电流)变化；而快速的能量变化可分两部份，一是能量本体的频率(变化率)，一是能量本体的振幅(大小)，而对策电磁干扰的方式不外两种，一是对策能量本体，像是抑制此能量的振幅或是改变其变化率，像是缓冲器，导通(截止)速度，更换组件的速度，变压器设计等，另一是截断干扰的耦合路径，将干扰源封闭在电源本体里面，像是用LC滤波器，铜箔，外壳等，不论使用何种方式，目的都是为了达到电磁干扰可以通过法规的需求。
4.3 寄生组件的影响
在实际的电源产品中，到处都充满了寄生组件，包括组件本体的寄生组件与布线组成的寄生成份。当频率到MHz时，nH的电感与pF的电容会对EMI产生非常大的影响。
以一个环形电感来举例，多数的工程师只在意它的Al值，即绕了几圈后可以得到多少的感量，却没有去考虑到他的等效电容(ESC)与等效电阻(ESR)，而在电磁干扰的领域，此等效电容与等效电阻却非常重要；理想的磁性组件，其阻抗应与频率成正比(Xl=2pif*L)，即频率愈高时其阻抗愈高，但在实际应用里，组件的等效电容却会抑制其阻抗特性。
如图19为一电感的阻抗与频率曲线，在频率低于共振点时，其阻抗会因频率上升而增加，但在过了共振点(Fr)后，阻抗却会因频率上升而变小，而无法达到预期的抑制效果。

图19
笔者在对策电磁干扰时将频段分为二部份, 10M以下的频段与10M以上的频段，在10M以下的频段, 其对策与变压器/滤波器/布线/结构等较相关, 而在10M以上的频段, 其对策与变压器/布线/滤波器/缓冲器(Snubber&Bead)/开关组件与速度/屏敝等较相关, 因布线/滤波器/变压器在高低频皆会影响，因此笔者在此先针对布线/滤波器/变压器等(10M以下)先做介绍。