晶闸管和晶体管之间有什么区别？

晶闸管与晶体管在定义、原理和功能方面的区别。

1. 定义

晶体管是一种控制电流的半导体器件。

晶闸管（SCR）也被称为SCR（硅控整流器）。

2. 2.原理

晶体管： 根据材料不同，有两种类型的晶体管：锗晶体管和硅晶体管。它们各有两种结构形式，NPN和PNP，但使用最多的是硅NPN和锗PNP，（其中N指负极，N型半导体是在高纯度硅中加入磷来代替部分硅原子，在电压的刺激下，产生自由电子进行传导。P表示正极。硅被硼取代，产生大量的空穴用于传导）。除了电源的极性不同，两者的工作原理是一样的。下面只介绍NPN硅管的电流放大原理。NPN晶体管是由两个N型半导体夹着一个P型半导体组成。发射区和基区之间形成的PN结称为发射器结，集电极区和基区形成的PN结称为集电极结。这三条引线被称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点的电位比e点的电位高几十分之一伏时，发射极结处于正向偏压状态，当C点的电位比b点的电位高几伏时，集电极结处于反向偏压状态，集电极电源Ec比基极电源Eb高。

晶闸管： 在晶闸管的工作过程中，其阳极（A）和阴极（K）分别与电源和负载相连，构成晶闸管的主电路。晶闸管的栅极G和阴极K与控制晶闸管的装置相连，形成晶闸管的控制。

3. 3.功能

晶体管： 它具有电流放大的功能，其本质是三极管能以基极电流的微小变化来控制集电极电流的大变化。这是晶体管最基本和最重要的特性。

我们把ΔIc/ΔIb的比率称为晶体管的电流放大率，用符号 "β "表示。对于某个晶体管来说，电流放大率是一个固定值，但当三极管工作时，它也会随着基极电流的变化而发生一定程度的变化。

晶闸管： 晶闸管是一种PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极、阴极和控制极；晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，其工作过程可控，应用广泛。它被用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变器、变频等电子电路中。

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