PMOS高边开关为什么会电路短路 ?

小编今天看到这样一个我们可能在实际应用中遇到的问题: 当 PMOS 用作高边开关时,在大电流关断的情况下会出现损坏故障。

此电路输入侧是 15KW 整流模块,输出侧接 8 Ω固定负载电阻。整流模块可调节输出电压与电流。

测试发现,整流模块输出为 40V/5A、48V/6A、56V/7A ,空载分别为 100V/0A、48V/0A、56V/0A 时,PMOS 开关正常。但设置为 64V/8A(空载 64V/0A )时,PMOS 能导通,关断却短路。更换 PMOS 后,设置为 80V/10A ,关断仍短路。

为什么会出现这样的故障呢?

这种短路故障可能是由PMOS的过流或过压导致的。高负载下,PMOS 需承受较大电流与电压,超出额定值就易开关失效。PMOS 作为高边开关,关断时若不能快速切断电流,也可能再次导通致短路。同时,驱动电路若无法提供足够电流和电压驱动 PMOS,也会使其开关异常。

那怎么解决这个问题呢?可以换用更高功率和电流额定值的 PMOS,增强其负载承受力。也可以在控制电路中增加过流、过压保护电路,给 PMOS 加上一层 “保护罩”。另外,一定要保证驱动电路和 PMOS 的参数是匹配的,这样 PMOS 才能正常工作。

在当今计算机视觉领域,深度学习模型在图像分割任务中发挥着关键作用,其中 UNet 是一种在医学影像分析、遥感图像处理等领域广泛应用的经典架构。然而,面对复杂结构和多尺度特征的图像,UNet 的性能存在局限性。因此,Nested UNet(也称 UNet++)应运而生,它通过改进 UNet 的结构,增强了特征融合能力,提升了复杂图像的分割效果。 UNet 是 Ronneberger 等人在 2015 年提出的一种卷积神经网络,主要用于生物医学图像分割。它采用对称的编码器 - 解码器结构,编码器负责提取图像特征,解码器则将特征映射回原始空间,生成像素级预测结果。其跳跃连接设计能够有效传递低层次的细节信息,从而提高分割精度。 尽管 UNet 在许多场景中表现出色,但在处理复杂结构和多尺度特征的图像时,性能会有所下降。Nested UNet 通过引入更深层次的特征融合来解决这一问题。它在不同尺度上建立了密集的连接路径,增强了特征的传递与融合。这种“嵌套”结构不仅保持了较高分辨率,还增加了特征学习的深度,使模型能够更好地捕获不同层次的特征,从而显著提升了复杂结构的分割效果。 模型结构:在 PyTorch 中,可以使用 nn.Module 构建 Nested UNet 的网络结构。编码器部分包含多个卷积层和池化层,并通过跳跃连接传递信息;解码器部分则包含上采样层和卷积层,并与编码器的跳跃连接融合。每个阶段的连接路径需要精心设计,以确保不同尺度信息的有效融合。 编码器 - 解码器连接:Nested UNet 的核心在于多层次的连接。通过在解码器中引入“skip connection blocks”,将编码器的输出与解码器的输入相结合,形成一个密集的连接网络,从而实现特征的深度融合。 训练与优化:训练 Nested UNet 时,需要选择合适的损失函数和优化器。对于图像分割任务,常用的损失
<think>嗯,用户问的是高边驱动和低边驱动的区别以及它们的应用场景和电路设计。首先,我需要回忆一下这两种驱动方式的基本概念。高边驱动应该是指负载的一端接电源正极,开关在电源和负载之间;而低边驱动则是负载的一端接地,开关在负载和地之间。对吧?然后它们的区别可能在控制方式、保护功能、应用场景等方面。 接下来,我得考虑它们各自的优缺点。比如高边驱动可能在防止短路或漏电方面有优势,但电路设计可能更复杂。低边驱动可能更容易实现,但可能在安全性上稍差。应用场景方面,汽车电子可能常用高边驱动,比如车灯控制,而低边驱动可能用于工业设备中的电机控制? 还要注意电路设计的不同,比如高边驱动可能需要电荷泵或者自举电路来提供足够的栅极电压,特别是使用MOSFET的时候。而低边驱动可能直接用简单的NPN三极管或者N沟道MOSFET就可以了。另外,保护电路部分,比如过流保护和诊断功能,高边驱动芯片通常集成这些功能,而低边可能更依赖外部电路。 用户可能还想知道在具体项目中如何选择,比如需要考虑负载类型、系统安全性、成本等因素。可能需要举一些例子来说明,比如汽车中的ECU模块为什么用高边,或者家电中的电机为什么用低边。 另外,用户提到参考站内引用,但这里没有具体的引用内容,可能需要忽略这部分。不过,确保回答中的技术细节准确,比如NMOSPMOS的使用,以及驱动电压的要求。 最后,生成相关问题时要围绕主题,比如区别、设计要点、应用案例、故障诊断等。这样用户如果有后续问题,可以继续深入。</think>### 高边驱动与低边驱动的区别及应用场景 #### 一、核心区别 1. **电路拓扑** - **高边驱动**:开关位于负载与电源正极之间,负载另一端接地。 $$V_{CC} \rightarrow \text{开关} \rightarrow \text{负载} \rightarrow GND$$ - **低边驱动**:开关位于负载与地之间,负载另一端接电源正极。 $$V_{CC} \rightarrow \text{负载} \rightarrow \text{开关} \rightarrow GND$$ 2. **控制逻辑** - 高边驱动需提供高于电源的栅极电压(如使用PMOS或专用驱动芯片)[^1]; - 低边驱动可直接用逻辑电平控制NMOS或NPN晶体管。 3. **安全性** - 高边驱动可避免负载意外接地短路,适用于对安全性要求高的场景(如汽车电子); - 低边驱动在开关失效时可能因负载持续通电引发风险。 --- #### 二、应用场景对比 | **场景** | **高边驱动适用性** | **低边驱动适用性** | |----------------|----------------------------------|----------------------------------| | 汽车电子 | 车灯、电机控制(防止短路漏电) | 较少使用 | | 工业控制 | 高端执行器 | 继电器、传感器供电 | | 家电 | 电池供电设备(如吸尘器开关) | 电机、加热元件控制 | | 故障诊断 | 支持电流检测(集成诊断功能) | 需外部电路实现诊断 | --- #### 三、电路设计要点 1. **高边驱动设计** - 使用PMOS时需注意$V_{GS}$阈值,常搭配电荷泵或自举电路; - 优先选择集成保护功能(如过温、过流)的驱动芯片(如BTS系列)。 2. **低边驱动设计** - NMOS栅极可直接由MCU控制($V_{GS} > 2.5V$); - 需添加续流二极管防止感性负载反电动势。 --- #### 四、选型建议 - **优先高边驱动**:负载需直接接地、系统要求高安全性(如ISO 26262标准场景); - **优先低边驱动**:成本敏感型项目或逻辑电平直接控制的简单负载。
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