AO4354-VB一款SOP8封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-09-03 23:02:07 发布
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分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： 单片机 硬件工程 MOS管 半导体
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本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/133671501
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AO4354（VBA1303）
参数描述：
N沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.72Vth(V)；SOP8


型号参数介绍：
AO4354 (VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。


应用简介：AO4354是一款高电流N沟道MOSFET，适用于高性能电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其低导通电阻和高电流承载能力使其在大电流应用中表现优异。

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AO4805-VB一款SOP8封装 MOSFET参数应用解析
10-08
**AO4805-VB MOSFET参数详解** ...综上所述，AO4805-VB MOSFET是一款适用于高效率、低功耗应用的P沟道MOSFET，其TrenchFET技术、优秀的热性能和严格的测试标准使其在电源管理领域具有广泛的适用性。
AO4435-VB一款SOP8封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-08 436
AO4435 (VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.37V，封装：SOP8。P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；适用领域与模块：适用于高效率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合多路信号控制的场景。应用简介：AO4435适用于高效率开关和电流控制等领域。
AO4437-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
VBsemi_MOS的博客
11-24 57
1. **电源模块**：由于AO4437-VB具有低漏极-源极电阻，它适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路，有助于提高电能转换效率。3. **电池管理**：在电动汽车、电动工具和便携式设备中，AO4437-VB可用于电池管理系统，确保电池的安全充放电和保护。4. **高频开关电路**：由于其低电阻和高性能，这种MOSFET适用于高频开关电路，如DC-DC变换器、电源逆变器等。5. **LED驱动**：AO4437-VB可用于LED驱动器和照明控制，以提供高效的LED照明。- 额定电压：-20V。
AO4724-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
VBsemi的博客
11-20 33
总之，AO4724-VB是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于各种电子应用，特别是需要高电流承受能力、低电阻和可调阈值电压的领域。2. DC-DC变换器：AO4724-VB可用于DC-DC变换器，将一个电压转换为另一个电压，例如在电动汽车、通信设备和工业应用中的电源转换。3. 电机驱动：这款MOSFET也适用于电机驱动电路，如电机控制、电动汽车电机驱动和工业自动化中的电机控制，以实现高效的电机运行。4. 电池保护模块：由于其高电流承受能力，它可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电时的安全性和性能。
AO4407-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-24 285
具有负的额定电压和额定电流，AO4407特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。总之，AO4407是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。AO4407详细参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 阈值电压：-1.37Vth (V)- 封装类型：SOP8。
AO4425-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-27 63
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。总之，AO4425适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效逆变器和电动工具等领域。型号：AO4425丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：P沟道MOSFET- 最大耐压：-30V- 最大电流：-11A- 导通电阻：10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 门阈电压：-1.42Vth- 封装：SOP8。
AO4882-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-23 465
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1. 电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。总之，AO4882适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、逆变器和电机控制模块等。型号：AO4882丝印：VBA3410品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：2个N沟道MOSFET- 最大耐压：40V- 最大电流：12A- 导通电阻：15mΩ @10V, 20mΩ @4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 门阈电压：1.55Vth- 封装：SOP8。
AO4409-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-08 194
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于低电压电源开关和电池管理系统等。总之，AO4430适用于低电压和高电流应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。型号 AO4430丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 30V- 最大电流 18A- 导通电阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 1.72Vth- 封装 SOP8。
AO4402-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析
VBsemi的博客
01-06 286
该器件适用于需要N—Channel沟道的中电压、高电流应用。- 开启电阻: RDS(ON) = 5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 功率放大器模块：实现中功率的放大，适用于音频和射频功率放大应用。- 电机驱动模块：控制电机的中电流和功率，适用于中功率电机系统。- 电源开关模块：提供高效的电源开关控制，适用于中电压需求。- 阈值电压: Vth = 1.72V。- 产品型号: AO4402-VB。**主要应用领域模块：****详细参数说明：**- 额定电压: 30V。**使用注意事项：**
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