BSP170P-VB一款SOT223封装 MOSFET参数应用解析

本文详细介绍了BSP170P(VBJ2658)这款P沟道MOSFET的参数特性,包括工作电压、电流容量和RDS(ON)值。它专为高功率应用设计,如电源开关、稳压和逆变器,具有-1~3V的可调阈值电压和SOT223封装。

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BSP170P(VBJ2658)
参数描述:
P沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V);SOT223


型号参数介绍:
BSP170P (VBJ2658)参数说明:P沟道,-60V,-6.5A,导通电阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围-1~-3V,封装:SOT223。


应用简介:BSP170P是一款用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其能够处理较大的电流和电压,适用于高功率需求的场景。
优势与适用领域:具备较大的电流和电压承载能力,适用于高功率应用,如电源开关、稳压和逆变器等模块。

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