IRLR3110ZPBF-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

IRLR3110ZPBF( VBE1101N)
参数描述：
N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252

型号参数介绍：
IRLR3110ZPBF (VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。

应用简介：IRLR3110ZPBF适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其极低的导通电阻使其在低电压降场景中性能卓越。

优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
极低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。