CED12N10-VB_MOSFET产品应用与参数解析

CED12N10详细参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：100V- 额定电流：15A- 导通电阻：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 阈值电压：1.41Vth (V)- 封装类型：TO251

应用简介：CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。CED12N10采用TO251封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有较高的额定电压和额定电流，CED12N10特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。总之，CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。