型号 SI3911DV-T1-GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 2个P沟道MOSFET- 最大耐压 -20V- 最大电流 -4A- 导通电阻 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V- 门源电压 12Vgs (±V)- 门阈电压 -1.2~-2.2Vth- 封装 SOT23-6
应用简介 SI3911DV-T1-GE3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件,适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为-20V,最大电流为-4A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 高压负载开关模块 适用于高压负载开关和电源控制。3. 电动工具 可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之,SI3911DV-T1-GE3适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、高压负载开关模块和电动工具等。