SQD50P06-15L-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号 SQD50P06-15L-GE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 P沟道MOSFET- 最大耐压 -60V- 最大电流 -50A- 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 -1.76Vth- 封装 TO252

应用简介 SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高功率DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等。2. 高效功率开关模块 可用于高功率负载开关和电源控制器。3. 电动工具 适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。