AP0603GH-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号: AP0603GH-VB

丝印: VBE1303

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 最大电流: 100A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.9V

封装: TO252

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO252，表明该器件使用TO252封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 30V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 100A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.9V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。

**应用简介:**
AP0603GH-VB是一款高功率N-Channel MOSFET，适用于多种高电流应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 适用于高功率电源开关和稳压器，提供高效的电流控制。
2. **电机驱动:** 适用于高功率直流电机和步进电机的驱动电路。
3. **电源逆变器:** 用于高功率太阳能逆变器和其他高功率电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. **电源管理模块:** 适用于高功率电源管理应用，如电源适配器、电池管理等。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。