【AO4485&20-VB】&【AO4406-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析

本文比较了两个VBAsemi品牌的功率MOSFET(AO4406-VB和AO4485-20),讨论了它们的沟道类型、封装、电流和电阻特性,强调了在不同应用场景下的优势和适用性。

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**AO4406-VB**
- 丝印:VBA1311
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 沟道类型:N
  - 封装:SOP8
  - 最大电压:30V
  - 最大电流:12A
  - RDS(ON):12mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压:0.8~2.5V

**AO4485&20-VB**
- 丝印:VBA2412
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 沟道类型:P
  - 封装:SOP8
  - 最大电压:-40V
  - 最大电流:-11A
  - RDS(ON):13mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压:-1.7V

**产品比较:**
- **AO4406-VB**
  - N-Channel沟道,适用于电源开关、电机驱动等场景。
  - 最大电流12A,RDS(ON)较低,适用于对电流要求高的场景。

- **AO4485&20-VB**
  - P-Channel沟道,适用于负载开关应用。
  - 最大电流-11A,RDS(ON)较低,适用于对电流要求高的场景。

**差异性与优劣性:**
- **AO4406-VB**适用于N沟道高电流场景,性能较优。
- **AO4485&20-VB**适用于P沟道高电流场景,性能较优。

**应用简介:**
- **AO4406-VB**可用于电源开关、电机驱动等高电流N沟道场景。
- **AO4485&20-VB**适合电源开关、负载开关等高电流P沟道场景。

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